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根據(jù)功率初步選定一個(gè)磁芯和骨架，計(jì)算原副邊匝數(shù)，計(jì)算線徑，計(jì)算氣隙長(zhǎng)度，最后核算窗口面積和最大磁通密度，如超過(guò)限定值。

無(wú)損耗電流檢測(cè)與功率MOSFET相結(jié)合，能夠在不需要外部電路檢測(cè)或光耦器反饋路徑的情況下實(shí)現(xiàn)高精度的恒流輸出控制。

當(dāng)無(wú)調(diào)光器連接時(shí)或者調(diào)光器以全導(dǎo)通角工作時(shí)，IC的調(diào)光器管理電路會(huì)關(guān)斷，從而提高效率。

對(duì)于某些溫度較高的元件，如INN3949CQ，建議增加散熱面積或使用散熱片、導(dǎo)熱墊。

這最終有助于大幅降低電源的能耗，從而提高效率，使體積更小的InSOP-24D封裝提供更大的輸出功率。

MOSFET的工作限流點(diǎn)可通過(guò)BYPASS引腳電容值進(jìn)行選擇，這樣在設(shè)計(jì)電路的時(shí)候很方便。

由于ON/OFF控制方式，在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期之前都會(huì)檢查輸出。如果輸出已降至閾值限值以下，則啟動(dòng)開(kāi)關(guān)周期。

使用降壓-升壓拓?fù)洌驗(yàn)樗梢栽诤軐挼碾妷悍秶鷥?nèi)工作，但受限于非隔離轉(zhuǎn)換器，并且輸入電壓與輸出電壓之比有限。

具備出色的CV/CC精度，且不受外部組件參數(shù)誤差的影響。

在DCM模式下準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)自行工作，而在變換器進(jìn)入連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)時(shí)準(zhǔn)諧振工作則自行停止。