duke_dong:
基于開(kāi)關(guān)性能的重要性,新的技術(shù)正在不斷開(kāi)發(fā)以解決這個(gè)開(kāi)關(guān)問(wèn)題。芯片尺寸的增加會(huì)加大柵極電荷;而這會(huì)使器件尺寸增大。為了減少開(kāi)關(guān)損耗,新的技術(shù)如溝道厚底氧化已經(jīng)應(yīng)運(yùn)而生,旨在減少柵極電荷。舉例說(shuō),SuperFET這種新技術(shù)就可通過(guò)降低RDS(ON)和柵極電荷(Qg),最大限度地減少傳導(dǎo)損耗和提高開(kāi)關(guān)性能。這樣,MOSFET就能應(yīng)對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程中的高速電壓瞬變(dv/dt)和電流瞬變(di/dt),甚至可在更高的開(kāi)關(guān)頻率下可靠地工作。