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頂

好久沒(méi)來(lái)了

嘀嘀嘀

芯片的制造過(guò)程可概分為晶圓處理工序（WaferFabrication）、晶圓針測(cè)工序（WaferProbe）、構(gòu)裝工序（Packaging）、測(cè)試工序（InitialTestandFinalTest）等幾個(gè)步驟。其中晶圓處理工序和晶圓針測(cè)工序?yàn)榍岸危‵rontEnd）工序，而構(gòu)裝工序、測(cè)試工序?yàn)楹蠖危˙ackEnd）工序。

好久沒(méi)來(lái)了。

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芯片的制造過(guò)程可概分為晶圓處理工序（WaferFabrication）、晶圓針測(cè)工序（WaferProbe）、構(gòu)裝工序（Packaging）、測(cè)試工序（InitialTestandFinalTest）等幾個(gè)步驟。其中晶圓處理工序和晶圓針測(cè)工序?yàn)榍岸危‵rontEnd）工序，而構(gòu)裝工序、測(cè)試工序?yàn)楹蠖危˙ackEnd）工序。

基于開(kāi)關(guān)性能的重要性，新的技術(shù)正在不斷開(kāi)發(fā)以解決這個(gè)開(kāi)關(guān)問(wèn)題。芯片尺寸的增加會(huì)加大柵極電荷；而這會(huì)使器件尺寸增大。為了減少開(kāi)關(guān)損耗，新的技術(shù)如溝道厚底氧化已經(jīng)應(yīng)運(yùn)而生，旨在減少柵極電荷。舉例說(shuō)，SuperFET這種新技術(shù)就可通過(guò)降低RDS(ON)和柵極電荷(Qg)，最大限度地減少傳導(dǎo)損耗和提高開(kāi)關(guān)性能。這樣，MOSFET就能應(yīng)對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程中的高速電壓瞬變(dv/dt)和電流瞬變(di/dt)，甚至可在更高的開(kāi)關(guān)頻率下可靠地工作。

第四步：決定開(kāi)關(guān)性能選擇MOSFET的最后一步是決定MOSFET的開(kāi)關(guān)性能。影響開(kāi)關(guān)性能的參數(shù)有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會(huì)在器件中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，因?yàn)樵诿看伍_(kāi)關(guān)時(shí)都要對(duì)它們充電。MOSFET的開(kāi)關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。為計(jì)算開(kāi)關(guān)過(guò)程中器件的總損耗，設(shè)計(jì)人員必須計(jì)算開(kāi)通過(guò)程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過(guò)程中的損耗(Eoff)。MOSFET開(kāi)關(guān)的總功率可用如下方程表達(dá)：Psw=(Eon+Eoff)×開(kāi)關(guān)頻率。而柵極電荷(Qgd)對(duì)開(kāi)關(guān)性能的影響最大?；陂_(kāi)關(guān)性能的重要性，新的技術(shù)正在不斷開(kāi)發(fā)以解決這個(gè)開(kāi)關(guān)問(wèn)題。芯片尺寸的增加會(huì)加大柵極電荷；而這會(huì)使器件尺寸增大。為了減少開(kāi)關(guān)損耗，新的技術(shù)如溝道厚底氧化已經(jīng)應(yīng)運(yùn)而生，旨在減少柵極電荷。舉例說(shuō)，SuperFET這種新技術(shù)就可通過(guò)降低RDS(ON)和柵極電荷(Qg)，最大限度地減少傳導(dǎo)損耗和提高開(kāi)關(guān)性能。這樣，MOSFET就能應(yīng)對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程中的高速電壓瞬變(dv/dt)和電流瞬變(di/dt)，甚至可在更高的開(kāi)關(guān)頻率下可靠地工作。

首先，來(lái)做一個(gè)實(shí)驗(yàn)，把一個(gè)MOSFET的G懸空，然后在DS上加電壓，那么會(huì)出現(xiàn)什么情況呢？很多工程師都知道，MOS會(huì)導(dǎo)通甚至擊穿。這是為什么呢？因?yàn)槲腋緵](méi)有加驅(qū)動(dòng)電壓，MOS怎么會(huì)導(dǎo)通？用下面的圖，來(lái)做個(gè)仿真：[圖片]去探測(cè)G極的電壓，發(fā)現(xiàn)電壓波形如下：[圖片]G極的電壓居然有4V多，難怪MOSFET會(huì)導(dǎo)通，這是因?yàn)镸OSFET的寄生參數(shù)在搗鬼