duke_dong:
第四步:決定開關(guān)性能選擇MOSFET的最后一步是決定MOSFET的開關(guān)性能。影響開關(guān)性能的參數(shù)有很多,但最重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗,因為在每次開關(guān)時都要對它們充電。MOSFET的開關(guān)速度因此被降低,器件效率也下降。為計算開關(guān)過程中器件的總損耗,設(shè)計人員必須計算開通過程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過程中的損耗(Eoff)。MOSFET開關(guān)的總功率可用如下方程表達(dá):Psw=(Eon+Eoff)×開關(guān)頻率。而柵極電荷(Qgd)對開關(guān)性能的影響最大?;陂_關(guān)性能的重要性,新的技術(shù)正在不斷開發(fā)以解決這個開關(guān)問題。芯片尺寸的增加會加大柵極電荷;而這會使器件尺寸增大。為了減少開關(guān)損耗,新的技術(shù)如溝道厚底氧化已經(jīng)應(yīng)運(yùn)而生,旨在減少柵極電荷。舉例說,SuperFET這種新技術(shù)就可通過降低RDS(ON)和柵極電荷(Qg),最大限度地減少傳導(dǎo)損耗和提高開關(guān)性能。這樣,MOSFET就能應(yīng)對開關(guān)過程中的高速電壓瞬變(dv/dt)和電流瞬變(di/dt),甚至可在更高的開關(guān)頻率下可靠地工作。