weizai1227：
經(jīng)過本人進(jìn)一步測(cè)試，基本可以證實(shí)功率上不去的原因的確是因?yàn)榱鬟^MOS管的電流過大，也就是觸發(fā)了芯片的過流保護(hù)。證實(shí)方法如下：一、求證思路 要證實(shí)是電流過大的問題，就必須測(cè)得流過MOS管的瞬態(tài)電流（穩(wěn)壓電源上顯示的電流應(yīng)該是平均電流，而芯片限制的應(yīng)該瞬態(tài)最大電 流），所以我的辦法是在輸入回路中串入一個(gè)小電阻（實(shí)際為3R50W的功率電阻），然后用示波器測(cè)電阻兩端的波形，測(cè)試思路框圖如下：[圖片][圖片] 實(shí)測(cè)負(fù)載0.9W時(shí)波形如下：[圖片]datasheet上關(guān)于電流的參數(shù)如下：[圖片]從波形上看峰值差不多接近900mV，則峰值電流在0.3A左右，而手冊(cè)上標(biāo)明的最小峰值電流限制值是在0.32A，基本上是接近的。所以基本能夠證明功率上不去是被電流給限制了。 那么新的問題來了，為什么在負(fù)載這么小的情況下，電流就這么大了呢？這個(gè)最大峰值電流是由什么決定呢？