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峰峰值是360V，有效值256V，壓降取決于電容容量的大??！

這是正?，F(xiàn)象，不接負載空載電壓就是255V*1.414=360V,接上負載電壓跌落到260V也是正常，如果想讓輸出電壓跌落很少，就加大輸出濾波電容，容量越大，電壓跌落幅度就越小，不過電容容量太大也不好，上電瞬間產(chǎn)生的浪涌電流就會變大，對整流二極管是一個沖擊，就需要加大二極管的工作電流了。

然后呢

恩，之前的芯片ESD不高，現(xiàn)在要求芯片的ESD能力必須達到25KV以上了！

反向耐壓只有幾十伏的肖特基二極管很容易被感知的ESD打壞，能夠感知的ESD，其電壓至少大于2KV！

失效模式加上對失效點的物質(zhì)成分分析得出結(jié)論就是ESD造成，通過再現(xiàn)性來驗證！

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我每個月會遇到一些案列，均為ESD失效，我們這里說的可能更多認為是靜電造成，我是肖特基二極管生產(chǎn)廠家的應用工程師，不知道我們有沒有把ESD與EOS這兩個概念搞混了哦！

肖特基二極管對ESD是非常敏感的，這一點在實際運用中已經(jīng)得到驗證，太陽能電池板組件后面接線盒內(nèi)部的肖特基二極管其功率也是蠻大的，其正向電流都是大于10A的

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