Lam小黑：
SiC與Si性能對(duì)比SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)為:1、擊穿電壓強(qiáng)度高（約10倍于Si）2、更寬的禁帶（約3倍于Si）3、熱導(dǎo)率高（約3倍于Si）。 高溫工作特性，SiCMOSFET比SiMOSFET更適合應(yīng)用于高溫工作環(huán)境，原因在于一方面SiCMOSFET自身?yè)p耗小，發(fā)熱量小，自身溫升相對(duì)較小，另一方面，熱導(dǎo)率高3倍于SiMOSFET。