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這邊有做的，具體需要參數(shù)是？

用psim和simetrix都有仿真

個人認為高壓輸入，低壓輸出時，LLC如果參數(shù)設(shè)計合理可以實現(xiàn)原邊的ZVS以及副邊的ZCS，對于大電流是有利的，但峰值電流會比較大，需要電容組來處理紋波。移相全橋這一點就相對好處理一些。我想請教一下，采用移相全橋整體優(yōu)勢是什么，考慮器件數(shù)量，效率等因素

移相全橋不熟悉所以沒有選，倍流整流也有考慮，但輸出需要多個電感續(xù)流，擔心線徑與體積上會比較麻煩。

嗯嗯。理論半橋匝數(shù)比要小一倍，對于低壓輸出有利，但是計算下來半橋的勵磁電流大了一倍，原邊線徑也需要更大的，可能導致效率降低，要根據(jù)需求定量分析（歡迎大佬們秀一波理論）。輸出整流四路并聯(lián)，輔助12V供電驅(qū)動（5V電壓較低），否則MOS的損耗太大，型號也不好選，每路一顆可能還是比較困難，不行考慮用2顆，太多也放不下。

同步整流是副邊繞組各一顆MOS，一共4顆，能否滿足200A電流？

遙控小車+鋰電池組+雙向DCDC，有需要可以聯(lián)系我。

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