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與最優(yōu)的硅基MOSFET相比，氮化鎵晶體管及集成電路的開關(guān)速度快很多及體積更小巧。相比先進(jìn)的硅基器件，當(dāng)今商用化的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN®FET）及集成電路的性能高出5至50倍。這個在性能方面的重大改進(jìn)可推動全新應(yīng)用的出現(xiàn)，在氮化鎵技術(shù)推出之前，這是完全不可能實現(xiàn)的。然而，目前的eGaNFET及其它供應(yīng)商所制造的氮化鎵晶體管的性能仍然距離氮化鎵器件理論上的性能極限達(dá)數(shù)個數(shù)量級。從將來的氮化鎵學(xué)習(xí)曲線可看到，氮化鎵與硅基器件的性能差異將會逐漸擴(kuò)大，而且氮化鎵器件將會繼續(xù)推動全新應(yīng)用的出現(xiàn)并改變各個最終市場。

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