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IGBT比MOS管的壓降要小很多？可以替代MOS管？以低壓內(nèi)阻1mR的mos管為例，電流100A時(shí)，mos管壓降0.1V，IGBT壓降2V電流10A時(shí)，MOS管壓降0.01V，IGBT壓降2V電流1A時(shí)，MOS管壓降0.001V,IGBT壓降2V到底哪個(gè)能打？到底哪個(gè)壓降要低？IGBT總在耐壓高的地方，mosfet總在低壓的地方，2V/2mR=1000A所以在1000A以下，感覺低壓還是mosfet的天下吧?