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氮化鎵材料的功率器件具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場強(qiáng)度大、飽和電子漂移速度高、介電常數(shù)小以及良好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點,特別是基于GaN的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)具有更高的電子遷移率,使得GaN器件具有低的導(dǎo)通電阻、高的工作頻率,能滿足下一代電子裝備對功率器件更大功率、更高頻率、更小體積和更惡劣高溫工作的要求。隨著GaN襯底材料進(jìn)步,以及GaN器件本身所具有的優(yōu)良性能,異軍突起的GaN功率半導(dǎo)體具有極其廣闊的應(yīng)用前景,相信在不久的將來GaN功率器件會大量應(yīng)用于軍事和民用的各個領(lǐng)域,使其成為高性能低成本功率管理系統(tǒng)解決方案。