sunok：
尊敬的主辦方：本人是南京韋茲科技的新人所以本人對(duì)此很有興趣，本人的申請(qǐng)理由下：1.SICMOSFET取代IGBT是趨勢，本人有做過IGBT的項(xiàng)目，現(xiàn)在想試用下SIC MOSFET的評(píng)估板來和IGBT做個(gè)比較。2.未試用過羅姆的SIC 器件， 想以此機(jī)會(huì)評(píng)測羅姆公司的SIC產(chǎn)品，也為本公司儲(chǔ)備器件供應(yīng)商資料。試用規(guī)劃是：1.根據(jù)評(píng)估板的參先評(píng)測下評(píng)估各項(xiàng)電源指標(biāo)：效率、對(duì)應(yīng)帶寬的紋波、澡音、電壓調(diào)整率、負(fù)載調(diào)整率、溫飄系數(shù)等；2.與本評(píng)估板相類似功率的電源且使用IGBT器件的電源對(duì)行各參數(shù)進(jìn)行比較優(yōu)劣；3.最后本網(wǎng)站發(fā)布使用心得。