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申請(qǐng)理由:1.SiCMOSFET在很多領(lǐng)域?qū)⑷〈鶬GBT,但驅(qū)動(dòng)比較復(fù)雜,希望通過(guò)開(kāi)發(fā)板做一定評(píng)估2.SiCMOSFET是很多國(guó)外知名廠家將來(lái)的應(yīng)用主力器件,經(jīng)過(guò)研發(fā)測(cè)試即將推向市場(chǎng),希望利用本次開(kāi)發(fā)板的機(jī)會(huì),掌握器件的動(dòng)態(tài)與保護(hù)特性,為新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)做技術(shù)支撐。3.熟悉ROHM公司的產(chǎn)品,希望開(kāi)展合作。試用規(guī)劃:1.初步了解BD7682FJ-EVK-401電路原理,SiCMOSFET器件特性;2.上電測(cè)試,加三相AC400V輸入,帶24VDC負(fù)載進(jìn)行測(cè)試,對(duì)驅(qū)動(dòng)、主回路、直流紋波、效率、功耗、溫升、器件的瞬態(tài)性能進(jìn)行測(cè)試3.結(jié)合現(xiàn)有工程進(jìn)行相關(guān)開(kāi)發(fā)4.總結(jié)發(fā)帖