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3.3V原2.76T選3T。5V的4T不變。3.3V的肖特基二極管，改為超快恢復二極管。注意壓降在0.85V以下。這樣就相對精確地獲得輸出電壓了。這里利用了超快恢復二極管正向壓降比肖特基二極管大0.4V左右的特點。

大俠你說的是升壓H橋MOSFETD-S之間的電壓和電流嗎？

0.28*24V就有6.72W，這是初級電感上的無功功率，不會發(fā)熱。倒是0.28x0.28x10=0.784W,采樣電阻上的損耗直接變成熱，要計算損耗。

次級波形應該占滿半個周期，才算準諧振頻率到位。你這個差遠了。加大10倍諧振容量試一試。

PQ磁芯截面是圓形，因此比EE的方形節(jié)省11%銅，銅損也降低了11%。

樓主，非常感謝分享。小板的原理圖和整機的layout也想分享一下，正在學習中，萬分感謝！ tshc_frank@163.com

樓主高明！我一開始想做3500W的現(xiàn)在也打算升到6000W。我有2個問題：1.3個50非晶變壓器和EE65雙磁芯鐵氧體變壓器哪一個經(jīng)濟劃算？2.樓主效率有沒有達到98%@6000W?

全橋的優(yōu)點多了去。1.MOSFET耐壓降低。目前100V以下的MOSFET型號多如繁星，Rdson普遍在2mR左右，比高壓MOSFET內阻低2/3,電流普遍150安以上，雙管達到300安,價格5元左右親民，雙管全橋才用8個，成本40多元，輸出就能3000W簡直爽歪歪。而且抗過載電流余量超級大。一句話好用又便宜。2.變壓器進一步優(yōu)化，內阻更低。3.電路簡化，省掉了啟動保護的預充電電路，進一步降低了成本。

很感興趣。電郵tshc_frank@163.com

唉，80W，成本限制了。不能用高級電路。來個方波的電路吧。