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大家都用哪個品牌的MOSFET和IGBT?
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最新回復(fù)：2015-03-19 20:51
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MOSFET體內(nèi)二極管作用
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最新回復(fù)：2006-04-23 09:11
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我們的設(shè)備也遇到同樣問題,PCB板上有40M及10M晶振,好多倍頻點都是輻射超標(biāo),不知道如何處理(PCB板不允許改動,所有與板子連接的線纜都套上了磁環(huán),但效果不明顯).
2006-09-29 17:05 回復(fù)
原帖：設(shè)備內(nèi)有晶振,EMC過不了.有解決辦法嗎?
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#該內(nèi)容僅管理員可見#
2006-05-29 16:03 回復(fù)
原帖：
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受到鼓舞了,經(jīng)常看到flyback,這又是個什么概念?
2006-03-27 09:36 回復(fù)
原帖：問大家個弱的問題:off-line 離線式 是什么意思?
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800~1200V,30~50A或更大,用于x射線高壓發(fā)生器.
2006-03-21 09:40 回復(fù)
原帖：大家都用哪個品牌的MOSFET和IGBT?
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我所了解的大功率用IXYS的比較多,小功率的多半都用IR的,不知有沒有用到PI產(chǎn)品的朋友?
2006-03-20 10:27 回復(fù)
原帖：大家都用哪個品牌的MOSFET和IGBT?
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謝謝!
2006-03-16 16:40 回復(fù)
原帖：MOSFET體內(nèi)二極管作用
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同意你的觀點.用法是知道的,只是對為什么要加這個二極管有點疑惑
2006-03-16 10:23 回復(fù)
原帖：MOSFET體內(nèi)二極管作用
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反相二極管用來續(xù)流好像說不過去,個人理解是為了在MOSFET或者IGBT關(guān)斷的時候為體內(nèi)電容及寄生電感提供一個釋放能量的通路,以達到快速關(guān)斷的目的,不知對否,還望高人指點.
2006-03-16 10:21 回復(fù)
原帖：MOSFET體內(nèi)二極管作用
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同意樓上的觀點
2006-03-15 16:32 回復(fù)
原帖：您覺得散熱片不接地會引起,爆機嗎?
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一款成熟產(chǎn)品的參數(shù),供參考:輸出功率3KW,輸入380V,電容為1000uF,軟啟動電阻20歐50W(鋁殼電阻),繼電器為16A.
2006-03-15 16:29 回復(fù)
原帖：采用繼電器、限流電阻進行軟啟動的方案中,參數(shù)如何選擇?
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