【電源網(wǎng)】隨著技術的進步，EMI 對電路正常運行構成越來越大的威脅。這是因為電子應用正轉向各種無線通信或者便攜式平臺。因此大多數(shù)干擾EMI 信號最終都以傳導EMI 的形式進入到PCB 線跡（trace）中。

當您努力想要設計出一種抗EMI 電路時，您會發(fā)現(xiàn)，模擬傳感器電路往往會成為巨大的EMI 吸收器。這是因為，傳感器電路常常產(chǎn)生低電平信號，并且有許多高阻抗模擬端口。另外，這些電路使用更加緊湊的組件間隔，其讓系統(tǒng)更容易截獲和傳導噪聲干擾，從而進入到線跡中。

在這種EMI 情況下，運算放大器(op amp) 便會成為一個主要目標。我們在本系列文章的第1部分“EMI 如何通過介質干擾電路”看到了這種效應。此文中圖1 所示EMI 信號引起1.5 伏的偏移電壓誤差！

一個標準的運算放大器有3 個低阻抗引腳（正功率、負功率和輸出）以及2 個高阻抗輸入引腳（請參見圖1a）。盡管這些引腳可以抵抗EMI 影響，但是輸入引腳最為脆弱。

圖1 EMIRR 與EMIRR IN+ 測定方法比較

EMIRR 電磁干擾抑制比

電壓反饋放大器的反相和非反相引腳的特性基本相同。但是，非反相輸入（請參見圖1b）的放大器EMI 耐受度測試最為簡單。

 (1)

式1 中，VRF_PEAK 為所用RF 電壓的峰值，VOS 為放大器的DC 偏移電壓，而100 mVP 為100 mVP 輸入信號EMIRR IN+ 參考。

您可以利用EMIRR 衡量標準，比較放大器的EMI 抑制性能。圖2 顯示了　TI OPA333 CMOS 運算放大器的EMIRR IN+ 響應。該圖表明，這種器件可以較好地抑制器件300 kHz帶寬以上的頻率信號。

圖2 OPA333、EMRR IN+ 與頻率的關系

相比外部RC 濾波器，集成電路內部EMI 濾波器擁有三個方面的好處。潛在用戶可以對包含集成濾波器的放大器的性能進行測試，以保證其在較寬頻率范圍的EMI 抑制性能(2)。無源濾波器組件在寄生電容和電感方面并不理想，其限制了濾波器抑制甚高頻噪聲的能力。與之形成對比的是，集成電路與片上無源組件的電氣特性十分匹配。最后，使用內部濾波器的集成電路還可以給客戶帶來其它一些好處，例如：組件數(shù)目更少、成本更低和電路板面積更小等。

為了降低電路的EMI 敏感度，電路板設計人員應始終注意使用良好的布局方法。可以通過讓線跡長度盡可能的短，使用表面貼裝組件，以及使用具有專用信號回路接地層的印制電路板(PCB)，來實現(xiàn)上述目標。盡可能地保持接地層完整，并讓數(shù)字信號遠離模擬信號通路。另外，將射頻旁路電容器放置在所有集成電路電源引腳上。讓這些電容器靠近器件引腳，并確保在潛在EMI 頻率下其阻抗盡可能地接近0 歐姆。