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產(chǎn)品/技術(shù)
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AOS發(fā)布業(yè)界最低內(nèi)阻 適用通信及工業(yè)電源產(chǎn)品

2013-05-09 13:49 來(lái)源:電源網(wǎng) 編輯:兔子

【電源網(wǎng)】日前,集設(shè)計(jì),研發(fā)一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體(AOS, 納斯達(dá)克代碼: AOSL)發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS? (?MOS?)中壓系列旗艦產(chǎn)品,為眾多設(shè)備追求極致效率提供了解決方案。AON6250適用于通信及工業(yè)電源DC/DC轉(zhuǎn)換器原邊開(kāi)關(guān)、AC/DC及DC/DC轉(zhuǎn)換器副邊同步整流,太陽(yáng)能微逆變器,以及通信系統(tǒng)中的負(fù)載點(diǎn)模塊(POL)。

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DFN5*6封裝 極低導(dǎo)通內(nèi)阻,超強(qiáng)開(kāi)關(guān)性能實(shí)現(xiàn)更高功率密度

采用先進(jìn)的AlphaMOS?技術(shù),AON6250實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通內(nèi)阻和高速開(kāi)關(guān)性能。該產(chǎn)品與上一代產(chǎn)品相比,內(nèi)阻降低了57%;與市場(chǎng)上現(xiàn)有最先進(jìn)的同類(lèi)型150V器件相比,內(nèi)阻降低了8% ,除此之外, AON6250的優(yōu)值(RDS(ON) * COSS)也是市場(chǎng)上最好的,從而可以有效降低開(kāi)關(guān)損耗。因此無(wú)論是輕載條件還是重載條件,效率都有所提高。AON6290采用DFN5x6封裝,符合綠色環(huán)保產(chǎn)品相關(guān)規(guī)定,且電氣性能方面100%經(jīng)過(guò)柵極電阻測(cè)試以及UIS雪崩能力測(cè)試。繼AON6250之后,萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體(AOS)將發(fā)布一系列150V MOSFET產(chǎn)品。.

“終端客戶總是要求電源系統(tǒng)輸出更高功率并且占用更小的空間,這讓電源設(shè)計(jì)工程們面臨嚴(yán)峻考驗(yàn)” , AOS高級(jí)產(chǎn)品經(jīng)理Stephen表示, “實(shí)現(xiàn)其功率密度,需要器件具有極低的導(dǎo)通內(nèi)阻以及良好的開(kāi)關(guān)性能,AON6250正好可以滿足工程師的需求。.”


AON6250 技術(shù)優(yōu)勢(shì):

150V N-channel MOSFET in a DFN5x6 package

RDS(ON) < 16.5 mOhms max at VGS = 10V (業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻)

COSS = 213 pF typ

Qg (10V) = 30.5 nC typ

業(yè)內(nèi)最低 RDS(ON) * COSS (優(yōu)值, 可以有效降低開(kāi)關(guān)損耗)

100%經(jīng)過(guò)柵極電阻測(cè)試以及UIS雪崩能力測(cè)試

關(guān)于萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體(AOS):

Alpha and Omega Semiconductor (AOS)為集設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)與銷(xiāo)售為一體的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商,AOS提供廣泛的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線,包括完整的功率MOSFET和電源管理IC(Power IC)產(chǎn)品系列。AOS在器件物理,工藝技術(shù),電路設(shè)計(jì)及封裝設(shè)計(jì)上擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。通過(guò)將這些經(jīng)驗(yàn)整合用于產(chǎn)品性能以及成本控制的優(yōu)化,AOS在競(jìng)爭(zhēng)中顯示出自身的特色。AOS的產(chǎn)品線設(shè)計(jì)的目標(biāo)是滿足日益增長(zhǎng)的高產(chǎn)量,高效能產(chǎn)品的應(yīng)用需求,包括手提電腦、平板電視、電池、智能手機(jī)、便攜式媒體播放器、UPS、電機(jī)控制和電力供應(yīng)等。

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