擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT? 公司宣布，推出兩款面向手機(jī)基站設(shè)備的小功率、低失真射頻(RF)至中頻(IF)混頻器以擴(kuò)展其模擬無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品組合。新的器件可改善系統(tǒng)三階互調(diào)(IM3)性能并減少功耗，從而實(shí)現(xiàn)改進(jìn)的服務(wù)質(zhì)量(QoS)和4G無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中更小的附件和增強(qiáng)的可靠性。

IDT F1150和F1152是小功率、低失真的雙通道1700 – 2200MHz RF至IF混頻器，擁有非常好的線性指標(biāo)(+42 dBm)三階交調(diào)(IP3O)以實(shí)現(xiàn)極佳的互調(diào)抑制，使其成為4G無(wú)線基站中多載波、多模蜂窩系統(tǒng)的理想選擇。與標(biāo)準(zhǔn)混頻器相比，該混頻器減少功耗超過(guò)40%，極大減少了熱耗散并減輕了射頻的散熱要求-這對(duì)如今高度緊湊設(shè)備來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)關(guān)鍵因素。此外，器件改善IM3失真超過(guò)15dB，可實(shí)現(xiàn)更好的信噪比(SNR)，使得客戶能夠使用更高的前端增益改進(jìn)性能。

IDT公司通信部總經(jīng)理兼副總裁Tom Sparkman表示：“我們最新的RF至IF 混頻器產(chǎn)品鞏固了我們?cè)跓o(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位和將我們的產(chǎn)品組合擴(kuò)展到射頻信號(hào)鏈。IDT F1150和F1152擁有小功率和低IM3失真，可滿足我們客戶正緊密部署的4G基站解決方案的關(guān)鍵需求。我們的客戶非常歡迎混頻器高性能和全功能的特點(diǎn)，他們已經(jīng)在使用IDT的高性能產(chǎn)品，包括時(shí)鐘和計(jì)時(shí)、RapidIO? 和來(lái)自我們完整通信產(chǎn)品組合的其他器件?！?

IDT F1150和F1152與低噪聲數(shù)字控制IF可變?cè)鲆娣糯笃鱂1200相得益彰，F(xiàn)1200是IDT不斷增加的RF 信號(hào)通道產(chǎn)品中推出的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品利用 IDT 的模擬專長(zhǎng)和豐富的數(shù)字經(jīng)驗(yàn)，以提供可優(yōu)化客戶應(yīng)用的系統(tǒng)級(jí)解決方案。

供貨

IDT F1150(高本振注入)和 F1152(低本振注入)已向合格客戶提供樣品，提供36引腳6x6毫米QNF封裝。