擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT? 公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)今天宣布，針對目前的無線產(chǎn)品推出業(yè)內(nèi)功耗最低和線性最高的IQ 調(diào)制器。與同類產(chǎn)品相比，IDTF1650 可直接連接高性能雙模數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)，降低功耗達 50%，IM3 失真降低 12dB。這款器件是要求超低功耗的高性能 LTE 多輸入多輸出(MIMO)無線通信系統(tǒng)的理想選擇。

在典型的多模、多載波基站發(fā)射器中，調(diào)制器線性有限且功耗較高，在數(shù)字預(yù)失真環(huán)境下對系統(tǒng)的鄰道泄漏比(ACLR)和功耗預(yù)算帶來負面影響。IDTF1650 內(nèi)置Zero-Distortion? 技術(shù)，消除了這些缺陷，使工程師們能夠在很低功耗 [500 mW] 下獲得很高的OIP2 [60 dBm] 和OIP3 [35 dBm]。

IDT 副總裁兼時鐘和 RF 部門總經(jīng)理 Dave Shepard 表示：“IDTF1650 是我們不斷豐富的先進 RF 器件系列的新成員，將幫助我們的客戶開發(fā)領(lǐng)先市場的產(chǎn)品。我們的新低功耗 IQ 調(diào)制器解決了工程師們目前面臨的最大挑戰(zhàn)，使他們能夠?qū)崿F(xiàn)日益嚴(yán)格的功耗和性能預(yù)期。”

通過 IDTF1650 運行 MIMO 可節(jié)約高達 4 瓦功耗，帶來更好的頻譜性能，并改進誤差向量幅度(EVM)。該器件可帶來超高線性度和 3dB 功耗增益，同時只增加極少噪音，且能夠直接與主流的 JESD204B 和 DDR DACs 連接。

價格與供貨

IDTF1650 采用 4x4 mm 24-ld VFQFPN 緊湊封裝。