關(guān)于反激開關(guān)管中的Vds電壓尖峰波形問題，是許多電源工程師在設(shè)計(jì)測試電源中的常見問題，而且有時(shí)采用一些方法后仍然無法避免尖峰波形的出現(xiàn)。很多初學(xué)者往往希望通過公式計(jì)算來影響和避免尖峰波形，但因?yàn)樵趯?shí)際電路中影響的因素非常廣泛，而且每個(gè)電源都有不同的設(shè)計(jì)問題，因此我們這里提供的是一種調(diào)試方向。本文中針對反激開關(guān)管的Vds電壓尖峰問題進(jìn)行定性分析，從而為降低此尖峰提供指導(dǎo)方向。

下面的示意圖對解決反激開關(guān)管的Vds電壓尖峰問題有幫助。首先來看看MOS應(yīng)力公式：(理想化處理，不影響結(jié)論)Vds=Vin+n*Vo+Vspike=Vin+n*Vo+Ipk*(Lk/C1)0.5

這里兩個(gè)主要參數(shù)的意義：Lk是變壓器漏感(實(shí)際還應(yīng)包含PCB寄生電感)；C1為RCD鉗位電容(實(shí)際還應(yīng)包含MOS DS兩端的電容，一般遠(yuǎn)小于C1，故忽略)。見下圖：

同時(shí)上圖也標(biāo)注出了具體如何實(shí)現(xiàn)以及對可能的副作用進(jìn)行確認(rèn)。對于大家碰到的開關(guān)管Vds電壓尖峰問題，90%以上可以采用圖中的方法解決，不再為電壓尖峰煩惱。

如果圖中采用的方法還解決不掉，就需要更加細(xì)化，可以采用以下幾個(gè)整改方向：

1、layout走線優(yōu)化(功率回路盡量短，使pcb電感盡量??；同時(shí)也注意RCD的走線，這里除了會(huì)影響尖峰，也會(huì)影響傳導(dǎo)的高頻段和輻射)；

2、調(diào)整RCD中的D；(需要重新確認(rèn)效率、傳導(dǎo)、輻射)

3、調(diào)整RCD中的R；(需要重新確認(rèn)效率、傳導(dǎo)、輻射)

4、一般Rsense到IC CS pin都有個(gè)RC，調(diào)整RC時(shí)間常數(shù)；(需要重新確認(rèn)過功率點(diǎn))

5、調(diào)整副邊二極管的吸收參數(shù)。(需要重新確認(rèn)效率、傳導(dǎo)、輻射)

圖一中的方法加上以上的5鐘方法，基本上可以解決所有電壓尖峰問題。對于反激的大部分應(yīng)用，用600V的MOS就夠了。當(dāng)然了，有特殊要求，如有較大裕量要求的，可能就要用更高耐壓的MOS了，但一般對效率不利。