全橋逆變器中的IGBT電壓尖峰，通常來說都需要使用無感電容來消除。但是究竟該使用多大的無感電容卻是一個相對復(fù)雜的問題，本篇文章就舉例說明了IGBT的電壓尖峰消除問題。

圖1

從圖1中能夠看到，尖峰已經(jīng)達(dá)到穩(wěn)定輸出電壓的二倍，并且這個IGBT的功率并不高，只有75A。接下來就看看如何消除尖峰。

需要做的很簡單，就是調(diào)整反并在IGBT上的二極管的反向恢復(fù)時間。

IGBT沒有結(jié)構(gòu)上需要的體二極管，出于安全考慮（避免反向擊穿），一般IGBT內(nèi)部都反向并聯(lián)了一只二極管，隨著現(xiàn)代開關(guān)電源技術(shù)的發(fā)展，軟開關(guān)得到普遍應(yīng)用，要求這只二極管具有很好的反向恢復(fù)特性，所以現(xiàn)在的IGBT內(nèi)并聯(lián)的二極管反向恢復(fù)特性越來越好。但是如果用這種IGBT做硬開關(guān)，因為漏感等因素在CE上，產(chǎn)生的尖峰電壓通過二極管反向恢復(fù)通道泄放的時間太短，造成剩余能量太多，就會出現(xiàn)尖峰過高的問題。

此時就要再并聯(lián)一個4007，但是有三點需要注意。

第一、這個并聯(lián)要求二極管的反向恢復(fù)時間恰到好處，如果覺得4007不合適，可以換別成其他型號的二極管試試。

第二、如果覺得4007的電流太小不放心，就2只4007串了以后再與IGBT反并，這樣主反向電流就只走原來的二極管了，只有電壓尖峰才走4007的反向恢復(fù)通道。

第三、如果由于反向恢復(fù)電流（即吸收電流）太大而效率降低二極管發(fā)熱，就需要考慮驅(qū)動方式了，讓上下管錯開驅(qū)動時間，避免同步驅(qū)動引起的二極管反向恢復(fù)直通引起的損耗。

這里說的主要是關(guān)閉時的電壓尖峰，以前用MOS做全橋一般不會出現(xiàn)這個問題，因為MOS的體二極管反向恢復(fù)時間足夠長，原因在這里。