一直以來(lái)，臺(tái)積電似乎十分熱衷于EUV紫外光刻與10nm制程芯片技術(shù)討論。但也僅僅限于談?wù)摱?，因?yàn)槟壳暗募夹g(shù)水平還無(wú)法實(shí)現(xiàn)這種掃描光刻技術(shù)，至少要再等待1-2年才能看到利用這種技術(shù)制造的芯片實(shí)物。但是臺(tái)積電肯定不會(huì)將目光一直放在10nm上，其真正感興趣的恐怕是5nm制程領(lǐng)域。

超紫外線光刻技術(shù)的掃描光刻設(shè)備配備了帶為13.5nm波長(zhǎng)的激光，在基板進(jìn)行“畫”芯片的過(guò)程中擁有非常精細(xì)的特點(diǎn)，能解決目前正在使用的光刻工具許多具備挑戰(zhàn)性的技術(shù)難關(guān)，特別是EUV能進(jìn)行多模式刻畫能減少時(shí)間周期，有助于提升工藝制作的芯片產(chǎn)量。

按照計(jì)劃，臺(tái)積電將在未來(lái)的兩到三年內(nèi)將EUV掃描光刻技術(shù)應(yīng)用在7nm領(lǐng)域，荷蘭ASML正在與臺(tái)積電和其他芯片制造商準(zhǔn)備全新的EUV掃描光刻設(shè)備。目前臺(tái)積電已經(jīng)確定在2018年大面積批量生產(chǎn)7nm制程芯片，EUV的應(yīng)用可能在2018-2019開始試生產(chǎn)使用在5nm制程芯片。