一直以來，臺積電似乎十分熱衷于EUV紫外光刻與10nm制程芯片技術討論。但也僅僅限于談論而已，因為目前的技術水平還無法實現(xiàn)這種掃描光刻技術，至少要再等待1-2年才能看到利用這種技術制造的芯片實物。但是臺積電肯定不會將目光一直放在10nm上，其真正感興趣的恐怕是5nm制程領域。

超紫外線光刻技術的掃描光刻設備配備了帶為13.5nm波長的激光，在基板進行“畫”芯片的過程中擁有非常精細的特點，能解決目前正在使用的光刻工具許多具備挑戰(zhàn)性的技術難關，特別是EUV能進行多模式刻畫能減少時間周期，有助于提升工藝制作的芯片產(chǎn)量。

按照計劃，臺積電將在未來的兩到三年內(nèi)將EUV掃描光刻技術應用在7nm領域，荷蘭ASML正在與臺積電和其他芯片制造商準備全新的EUV掃描光刻設備。目前臺積電已經(jīng)確定在2018年大面積批量生產(chǎn)7nm制程芯片，EUV的應用可能在2018-2019開始試生產(chǎn)使用在5nm制程芯片。