在使用saber軟件進(jìn)行mosfet仿真時(shí)，通過仿真感覺輸出電壓與輸入電壓的關(guān)系相差并不大，反倒與門控電壓關(guān)系更大，但事實(shí)上這樣是不合理的，制作成簡單的電路圖如圖1所示。

圖1

實(shí)際上，能夠非常直觀的看出MOS管的柵級是存在錯(cuò)誤的，信號應(yīng)該是加在gs端浮地的。但是在進(jìn)行改進(jìn)后又出現(xiàn)了另一個(gè)問題。

圖2

從資料中得知輸出電壓是由輸入電壓*占空比的來，但經(jīng)過試驗(yàn)并沒有得出這種結(jié)果，這是為什么呢？輸入60V，占空比50%的情況下輸出端的濾波電容越大，輸出電壓也就越大。例如為4.7uF，輸出電壓30V左右，用200uF的電容就會升高到58V左右。

其實(shí)這個(gè)問題的產(chǎn)生是因?yàn)闇y試的時(shí)間不夠長所引起的，只要適當(dāng)?shù)难娱L測試時(shí)間就不會出現(xiàn)這類saber仿真問題，如將測試時(shí)間延長到100ms。本文通過一個(gè)例子為大家分析了輸出電壓與輸入電壓的關(guān)系，并對其中衍生出的問題進(jìn)行了解決，希望大家在閱讀過本文之后能有所收獲。