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OptiMOS?場效應(yīng)晶體管兼具低導(dǎo)通電阻與大安全工作區(qū)

2017-07-31 02:04 來源:英飛凌 編輯:電源網(wǎng)

2017年7月31日,德國慕尼黑訊—英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出OptiMOS?線性場效應(yīng)晶體管系列。這個全新產(chǎn)品系列兼具溝槽型功率場效應(yīng)管的低導(dǎo)通電阻(RDS(on))與平面MOSFET的大安全工作區(qū)。這就解決了RDS(on)與線性模式功能之間的平衡問題。OptiMOS線性場效應(yīng)晶體管可在增強模式MOSFET的飽和區(qū)工作。OptiMOS線性場效應(yīng)晶體管最適合電信和電池管理系統(tǒng)(BMS)中常見的熱插拔、電子熔斷器和保護應(yīng)用。

耐用的線性模式操作和更高的脈沖電流都有助于實現(xiàn)較低傳導(dǎo)損耗、更快啟動和更短的停機時間。通過限制較高的勵磁涌流,OptiMOS線性場效應(yīng)晶體管可在發(fā)生短路的情況下防止負(fù)載損壞。

供貨

OptiMOS線性場效應(yīng)晶體管現(xiàn)可供貨,有三個電壓等級:100 V、150 V和200 V。它們可采用D2PAK或D2PAK 7pin封裝。這些行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝兼容簡易替換元件。

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