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Vishay單片SPDT模擬開(kāi)關(guān)為便攜式消費(fèi)產(chǎn)品有效節(jié)省空間

2017-10-16 11:57 來(lái)源:VISHAY 編輯:電源網(wǎng)

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新的單片SPDT模擬開(kāi)關(guān),并在業(yè)內(nèi)首次采用了超小尺寸的新型μDFN6封裝。Vishay Siliconix DG3257非常適合用在便攜式消費(fèi)產(chǎn)品和醫(yī)療設(shè)備中切換模擬和數(shù)字信號(hào),在4.2V下的電阻為5Ω,并且提高了帶寬,減少了寄生電容,還有掉電保護(hù)功能。

Vishay單片SPDT模擬開(kāi)關(guān)為便攜式消費(fèi)產(chǎn)品和醫(yī)療電子設(shè)備有效節(jié)省空間

今天推出的這顆器件尺寸為1mm x 1mm x 0.35mm,比mQFN6封裝小29%,厚度小36%。DG3257的小尺寸使其在智能手機(jī)、平板電腦和電子書(shū),智能手表和健身計(jì)步器等可穿戴設(shè)備,便攜式醫(yī)療儀器,攝像頭和音響,物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用,計(jì)算機(jī)和外設(shè),以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備中能有效節(jié)省寶貴的PCB空間。

相比前一代器件在300MHz下的-3dB帶寬,DG3257將帶寬提高到超過(guò)700MHz。這顆5Ω SPDT開(kāi)關(guān)響應(yīng)時(shí)間很快,開(kāi)通時(shí)間為17ns,超低延遲為100ps。開(kāi)關(guān)在240MHz下的串?dāng)_為32dB,比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低10dB,隔離為-33dB。器件采用亞微米的CMOS工藝制造,寄生電容CD(ON)為9pF,降低了50%,CS(OFF)為3pF。

DG3257可處理雙向的信號(hào)流,用一節(jié)鋰離子電池供電就能工作。DG3257的工作電壓為1.65V~5.5V,在關(guān)機(jī)狀態(tài)下的漏電流小于1μA。當(dāng)拔掉外部供電電源時(shí),這個(gè)功能可以避免過(guò)從電池消耗過(guò)大的電流。器件的邏輯閾值為1.4V,保證與低壓TTL/CMOS器件兼容。當(dāng)與低壓MCU接口時(shí),開(kāi)關(guān)的最大耗電僅為1.5μA,比競(jìng)爭(zhēng)器件低90%。

器件符合RoHS,可承受超過(guò)6kV的ESD(人體模型),閂鎖電流為300mA,符合per JESD78的要求。

新模擬開(kāi)關(guān)現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十周。

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