今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品的重要補(bǔ)充，也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強(qiáng)有力補(bǔ)充。最終用戶將受益于更加緊湊節(jié)能的系統(tǒng)以及潛在更低的總體擁有成本。

碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000

碳化硅MOSFET技術(shù)帶來(lái)的高效性可為諸多要求嚴(yán)格的應(yīng)用提供多重優(yōu)勢(shì)，包括電動(dòng)和混動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心及輔助電源。 相比同類的Si IGBT，LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET可帶來(lái)一系列系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化機(jī)會(huì)，包括提高效率、增加功率密度、降低冷卻要求以及降低系統(tǒng)級(jí)成本的可能性。

此外，相比市面上其他業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅MOSFET器件，Littelfuse碳化硅MOSFET可在各方面提供同等或更優(yōu)越的性能。 碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000的典型應(yīng)用包括：

太陽(yáng)能逆變器

開(kāi)關(guān)模式和不間斷電源 

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器

感應(yīng)加熱

“此產(chǎn)品可改善現(xiàn)有應(yīng)用，并且Littelfuse應(yīng)用支持網(wǎng)絡(luò)可促進(jìn)新的設(shè)計(jì)方案?！盠ittelfuse半導(dǎo)體事業(yè)部電源半導(dǎo)體全球產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理Michael Ketterer表示。 “碳化硅MOSFET可為基于硅的傳統(tǒng)功率晶體管器件提供富有價(jià)值的替代選擇。 相比同類IGBT，MOSFET器件結(jié)構(gòu)可減少每個(gè)周期的開(kāi)關(guān)損耗并提高輕載效率。 固有的材料特性讓碳化硅MOSFET能夠在阻斷電壓、特定導(dǎo)通電阻和結(jié)電容方面優(yōu)于硅MOSFET?！?nbsp;

新推出的1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封裝，具有以下關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)：

專為高頻、高效應(yīng)用優(yōu)化

極低柵極電荷和輸出電容

低柵極電阻，適用于高頻開(kāi)關(guān)

供貨情況

LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET采用450只裝TO-247-3L管式封裝。