
1. 引言
移相控制方式是控制型軟開關(guān)技術(shù)在全開關(guān)PWM 拓?fù)涞膬蓱B(tài)開關(guān)模式(通態(tài)和斷態(tài))通過控制方法變?yōu)槿龖B(tài)開關(guān)工作模式(通態(tài)斷態(tài)和續(xù)流態(tài)),在續(xù)流態(tài)中實現(xiàn)開關(guān)管的軟開關(guān)。全橋移相ZVS-PWM DC/DC 變換拓?fù)渥猿霈F(xiàn)以來,得到了廣泛應(yīng)用,其有如下優(yōu)點:
●充分利用電路中的寄生參數(shù)(開關(guān)管的輸出寄生電容和高頻變壓器的漏感,實現(xiàn)有源開關(guān)器件的零電壓開關(guān))
●功率拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡單
●功率半導(dǎo)體器體的低電壓應(yīng)力和電流應(yīng)力
●頻率固定
●移相控制電路簡單
全橋移相電路具有以上優(yōu)點,但也依然存在如下缺點:
●占空比丟失
●變壓器原邊串聯(lián)電感和副邊整流二極管寄生電容振蕩
●拓?fù)渲荒茉谳p載到滿載的負(fù)載范圍內(nèi),實現(xiàn)零電壓軟開關(guān)
目前該拓?fù)涞难芯考俺晒饕性谝韵路矫?
●減小副邊二極管上的電壓振蕩
●減少拓?fù)湔伎毡葋G失
●增大拓?fù)淞汶妷很涢_關(guān)的負(fù)載適應(yīng)范圍
●循環(huán)電流的減小和系統(tǒng)通態(tài)損耗的降低
2. 典型的zvs 電路拓?fù)?/strong>
2.1 原邊串聯(lián)電感電路
為了實現(xiàn)滯后橋臂的零電壓,一般在原邊串聯(lián)電感(如圖1 所示)。增大變壓器漏感,以增加用來對開關(guān)輸出電容放電能量。該電路具有較大的循環(huán)能量,變換器的導(dǎo)通損耗較大,且增大了占空比的丟失。
在實現(xiàn)滯后橋臂的同時,為了進(jìn)一步擴大負(fù)載范圍,可在原邊上再串聯(lián)上一飽和電感,該電路可減小占空比的損失和減小變壓器副邊的寄生振蕩,但是飽和電感工作在正、負(fù)飽和值之間,而且頻率很高,使得飽和電感的損耗較大,在低的輸入電壓情況下會引起較為嚴(yán)重的副邊占空比丟失。
2.2 原邊串聯(lián)二極管鉗位電路及其改進(jìn)電路
上述電路雖然實現(xiàn)了全橋移相電路的ZVS,但是并沒有很好地解決輸出整流二級管在反向恢復(fù)過程中的電壓尖峰問題,基于此有文章提出了鉗位電路(如圖2)
該電路在變壓器原邊增加一個諧振電感和兩個鉗位二級管,消除了輸出整流管上的電壓尖峰和電壓振蕩,從而省去了吸收電路,可以選擇低壓的整流管,該電路的主要缺點是:
1)在原邊電壓為0 時,諧振電感被鉗位二極管短路,其電流保持不變,在電感鉗位二極管和開關(guān)管中產(chǎn)生較大的導(dǎo)通損耗;
2)增加了鉗位二極管的電流有效值和關(guān)斷損耗;
3)為了防止直流偏磁,一般采用隔直電容與變壓器或諧振電感串聯(lián),但隔直電容上的直流分量會導(dǎo)致變壓器原邊電流或諧振電感電流不對稱,影響變換器的可靠工作。
上述電路的拓?fù)涓倪M(jìn),把諧振電感和變壓器互換位置,使鉗位二極管在一個周期內(nèi)只導(dǎo)通1 次,降低了鉗位二極管有效值,降低了導(dǎo)通損耗,進(jìn)一步提高了變換器效率。
2.3 副邊RCD 鉗位電路拓?fù)?/strong>
圖2 及其改進(jìn)拓?fù)湔呤窃谠吋鱼Q位二極管。另一種方法是在副邊加鉗位電路。圖3就是一改進(jìn)的副邊RCD 鉗位電路拓?fù)?,該電路能有效抑制副邊管的電壓過沖,同時導(dǎo)通損耗也較低,主要缺點是吸收電路損耗大,降低了變換器的效率。
2.4 加輔助諧振網(wǎng)絡(luò)電路拓?fù)?/strong>
為了能使全橋變換電路能夠工作在更大的負(fù)載范圍。下面給出了一種新穎的變換器拓?fù)洌ㄈ鐖D4)
在1 圖的基礎(chǔ)上加入一個輔助諧振網(wǎng)絡(luò),其拓?fù)渚哂幸韵绿攸c:
1)在任意負(fù)載和輸入電壓范圍內(nèi)實現(xiàn)零電壓開關(guān)
2)占空比丟失減小到近似接近于0
3)電路的電感、電容、二極管的電流、電壓應(yīng)力很小,且與負(fù)載無關(guān)。
2.5 一種新型的ZVS 變換器拓?fù)浼捌渑缮娐?/strong>
下面給出一種新型的變換器拓?fù)浼捌渑缮娐?。全橋變頻電路(如圖5)
提出了一種解決耗能儲備與輔助電路能量之間矛盾的方法,并給出了其派生電路(如圖6)。
該電路能在寬負(fù)載范圍和輸入電壓范圍內(nèi)實現(xiàn)ZVS,實現(xiàn)ZVS 條件所需能量不僅取決于輸入電壓而且取決于負(fù)載,使電路在空載時也有較大能量實現(xiàn)ZVS。但該拓?fù)湟肓溯o助電源,電路復(fù)雜程度有所增加。
3. ZVZCS 典型拓?fù)?
以上電路采用的電源開關(guān)器件一般都選擇功率MOSFET,而MOSFET 的導(dǎo)通損耗較大。若采用IGBT 作為開關(guān)器件,可減小開關(guān)損耗,但同時IGBT 有關(guān)斷拖尾電流,為降低關(guān)斷拖尾電流帶來的關(guān)斷損耗,就必須在開關(guān)管上并聯(lián)大的吸收電容,這樣,將導(dǎo)致滯后臂難以實現(xiàn)零電壓開關(guān),即降低軟開關(guān)的適用范圍,為了保證超前橋臂臂軟開關(guān)負(fù)載適應(yīng)范圍不變,大的并聯(lián)電容必將增大橋臂開關(guān)管之間的死區(qū)電壓,從而減小拓?fù)涔ぷ鞯淖畲笳伎毡龋虼诉m應(yīng)IGBT 應(yīng)用的零電壓,零電流(ZVZCS PWM)變換器隨之發(fā)展起來。ZVZCS 的典型拓?fù)溆腥缦聨追N。
3.1 原邊串聯(lián)飽和電感拓?fù)?/strong>
如圖7 所示,變換器拓?fù)涞奶攸c是在原邊串聯(lián)飽和電感,當(dāng)阻斷電容上的電壓使原邊電流復(fù)位到零以后,飽和電感退出飽和,它在一小段時間內(nèi)將電流鉗在零位,使滯后橋臂開關(guān)實現(xiàn)零電流關(guān)斷但是飽和電感工作在正、負(fù)飽和值之間,而且頻率很高,使得飽和電感的損耗較大。在低輸入電壓時會引起較為嚴(yán)重的副邊占空比丟失。
3.2 副邊加有源鉗位電路
在圖8 中,該拓?fù)涞淖儔浩鞲边叢捎糜性聪湮环绞?,在原邊續(xù)流階段,副邊開關(guān)管開通,將鉗位電壓反射到原邊,使原邊電流下降到0。提供零電流條件,該電路能在較大范圍內(nèi)實現(xiàn)零電壓,零電流開關(guān),丟失的占空比較小,但同時副邊開關(guān)管工作在硬開關(guān)狀態(tài),降低了輸出效率。
3.3 副邊加無源鉗位電路
在圖9 中,副邊采用能量恢復(fù)緩沖。在零狀態(tài)時,VAB 存儲在阻斷電容上能量傳送給負(fù)載。該拓?fù)涓边厽o有源開關(guān),從而降低了變換器的成本和控制的復(fù)雜性,同時該電路也有較明顯的缺點;零狀態(tài)時,阻斷電容放電,滯后臂開通后,由于對阻斷電容的充電,原邊會產(chǎn)生較大的電流尖峰;超前橋臂較難開通。圖10 原邊電流的復(fù)位方式與圖9 相似,副邊相對復(fù)雜。
3.4 原邊串聯(lián)二極管電路拓?fù)?/strong>
在圖11 中的變換器引入了兩個串聯(lián)二極管。該變換器的阻斷電容串聯(lián)在負(fù)載中而不是并聯(lián)在負(fù)載中。當(dāng)超前橋臂開通時,不會產(chǎn)生過大的電流尖峰。在超前橋臂的開關(guān)死區(qū)時間內(nèi),儲存在漏感和輸出濾波電感的能量使超前橋臂容易實現(xiàn)ZVS,可在任意負(fù)載范圍實現(xiàn)滯后臂的ZCS。但該變換器原邊側(cè)的通態(tài)損耗有所增加,且串聯(lián)的二極管在關(guān)斷時還會有一定的反向恢復(fù)電流,引起高頻振蕩。
3.5 副邊加耦合電感電路
在圖12 中,變壓器輔助電路位于二次側(cè),繞組Ld1 與Ld2 耦合,當(dāng)超前橋臂關(guān)斷時Ld1 續(xù)流,Ld2 兩端電壓極性變產(chǎn)生變化。當(dāng)副邊電壓下降到一定程度,VD 導(dǎo)通。Ld2 參與續(xù)流,此時,感應(yīng)電勢反射到原邊構(gòu)成反向阻斷電壓源使原邊電流ip 迅速下降至零,實現(xiàn)ZCS。該電路結(jié)構(gòu)相對簡單,具有較好的通用性。
4. 結(jié)語
全橋移相電路發(fā)展到現(xiàn)在,出現(xiàn)了眾多的電路拓?fù)?,拓?fù)涞母倪M(jìn)主要基于占空比,二次側(cè)尖峰電流、負(fù)載的適應(yīng)范圍及變換器效率幾個方面。隨著拓?fù)涞倪M(jìn)一步優(yōu)化,許多問題都得到了解決,但各個拓?fù)湟哺髯源嬖诓蛔阒?。在實際使用的過程中要綜合考慮各方面因素。針對側(cè)重點的不同,選取合適的電路拓?fù)洹?
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