日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型200V n溝道MOSFET---SiSS94DN，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封裝，10 V條件下典型導通電阻達到業(yè)內最低的61 mΩ。同時，經過改進的導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關應用重要優(yōu)值系數（FOM）為854 mΩ*nC。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN專門用來提高功率密度，占位面積比采用6mm x 5mm封裝相似導通電阻的器件減小65 %。

日前發(fā)布的TrenchFET® 第四代功率MOSFET典型導通電阻比市場上排名第二的產品低20 %，F(xiàn)OM比上一代解決方案低17 %。這些指標降低了導通和開關損耗，從而節(jié)省能源。外形緊湊的靈活器件便于設計師取代相同導通損耗，但體積大的MOSFET，節(jié)省PCB空間，或尺寸相似但導通損耗高的MOSFET。

SiSS94DN適用于隔離式DC/DC拓撲結構原邊開關和同步整流，包括通信設備、計算機外設、消費電子； 筆記本電腦、LED電視、車輛船舶LED背光；以及GPS、工廠自動化和工業(yè)應用電機驅動控制、負載切換和功率轉換。

器件經過100 % RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。

SiSS94DN現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產，供貨周期為12周。