關(guān)鍵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布推出一系列采用節(jié)省空間的LFPAK56D封裝技術(shù)的半橋（高端和低端）汽車MOSFET。采用兩個(gè)MOSFET的半橋配置是許多汽車應(yīng)用（包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和DC/DC轉(zhuǎn)換器）的標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)建模塊。這種新封裝提供了一種單器件半橋解決方案。與用于三相電機(jī)控制拓?fù)涞碾p通道MOSFET相比，由于去掉了PCB線路，其占用的PCB面積減少了30%，同時(shí)支持在生產(chǎn)過(guò)程中進(jìn)行簡(jiǎn)單的自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI)。LFPAK56D半橋產(chǎn)品采用現(xiàn)有的大批量LFPAK56D封裝工藝，并具有成熟的汽車級(jí)可靠性。這種封裝形式使用靈活的引腳來(lái)提高整體可靠性，并且MOSFET之間采用內(nèi)部銅夾連接，簡(jiǎn)化了PCB設(shè)計(jì)并帶來(lái)了即插即用式解決方案，電流處理能力達(dá)到98A，表現(xiàn)非常出色。

通常，在半橋結(jié)構(gòu)中，高邊MOSFET的源極與低邊MOSFET的漏極之間的PCB連接會(huì)產(chǎn)生大量的寄生電感。但是，通過(guò)內(nèi)部夾式連接，LFPAK56D半橋封裝成功減少了60%的寄生電感。

新推出的LFPAK56D半橋MOSFET是BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H。這兩款產(chǎn)品都采用高度耐用的Trench 9汽車級(jí)晶圓工藝技術(shù)，額定電壓為40 V，并在關(guān)鍵測(cè)試中通過(guò)了兩倍汽車AEC-Q101規(guī)范的驗(yàn)證。這兩款器件的RDS(on)分別為4.2 mOhm (BUK7V4R2)和13 mOhm (BUK9V13)。

符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的Nexperia LFPAK56D半橋封裝產(chǎn)品適合各類三相汽車動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用，例如燃油泵、水泵、電機(jī)控制和DC/DC電源轉(zhuǎn)換。其占用的PCB面積減少30%，寄生電感減少60%，因此適用于高性能開關(guān)應(yīng)用。隨著重要汽車客戶的設(shè)計(jì)采用和投入，這項(xiàng)新技術(shù)已經(jīng)取得了成功。