國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的驅(qū)動(dòng)類IC一站式提供商數(shù)明半導(dǎo)體持續(xù)深耕隔離驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，于近日正式發(fā)布國(guó)內(nèi)首款單通道帶DESAT保護(hù)功能的IGBT/SiC隔離驅(qū)動(dòng)器SLMi33x 。該芯片內(nèi)置快速去飽和(DESAT) 故障檢測(cè)功能、米勒鉗位功能、漏極開路故障反饋、軟關(guān)斷功能以及可選擇的自恢復(fù)模式，兼容光耦隔離驅(qū)動(dòng)器，為客戶工程師提供高質(zhì)量、高性能的替代方案。

通過采用業(yè)界領(lǐng)先的雙電容隔離技術(shù)和“OOK”傳輸技術(shù)，SLMi33x實(shí)現(xiàn)了5kVrms的隔離電壓和高達(dá)10kV的隔離浪涌電壓，并具有超過100kV/us (Min.)的共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI），滿足了SiC功率器件對(duì)CMTI的高要求，保證了在極端惡劣工作環(huán)境下的可靠性和穩(wěn)定性。SLMi33x的DESAT閾值為6.5V或9V，其最大驅(qū)動(dòng)電流有1.5A，2.5A和4.0A三檔，可廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、大功率變頻器、不間斷電源（UPS）、EV充電、逆變器等應(yīng)用場(chǎng)景。

SLMi33x性能優(yōu)勢(shì)

l抗負(fù)壓能力更強(qiáng)

l最大延時(shí)更短

l輸入側(cè)和輸出側(cè)的電壓范圍更寬

lCMTI值更高，抗干擾能力更出色

SLMi33x在IGBT三相橋式的典型應(yīng)用電路如圖1所示。正常工作時(shí)，Anode和Cathode接收控制器的控制信號(hào)，VOUT輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)來驅(qū)動(dòng)IGBT的開通和關(guān)斷。當(dāng)發(fā)生短路保護(hù)時(shí)候，IGBT的VCE電壓通過DESAT檢測(cè)，當(dāng)DESAT上的電壓高于6.5V或9.0V時(shí)，即關(guān)掉VOUT輸出并傳到控制端側(cè)并拉低FAULT。

圖1. SLMi33x 典型應(yīng)用電路圖

SLMi33x的管腳定義及封裝為圖2所示 ，其封裝為SOIC16 寬體，并提供大于8mm的爬電和間隙距離。

圖2. SLMi33x 管腳定義及封裝

目前SLMi33x已在各大變頻器、逆變器等不同領(lǐng)域通過了客戶測(cè)試，有12種系列產(chǎn)品可供選擇，申請(qǐng)樣片請(qǐng)郵件至 sales@sillumin.com。

圖3. SLMi33x 選型指南