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英飛凌推出先進的OptiMOS?功率MOSFET,進一步擴大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產品陣容

2023-08-03 16:54 來源:英飛凌 編輯:電源網

【2023年8月3日,德國慕尼黑訊】小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡化應用設計方面發(fā)揮著至關重要的作用。此外,更高的功率密度還能實現(xiàn)靈活的布線并縮小系統(tǒng)的整體尺寸。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET,進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容,此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案,在更小的封裝尺寸內實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產品廣泛適用于各種應用,如服務器、通信、便攜式充電器和無線充電器中開關電源(SMPS)里的同步整流等。此外,新產品在無人機中還可應用于小型無刷電機的電子速度控制器等。

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全新的OptiMOS 6 40V功率MOSFET以及OptiMOS 5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進的硅技術、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。這些新器件擁有業(yè)界極低的導通電阻和業(yè)界領先的性能指標(FOMs, QG和QOSS),能夠實現(xiàn)出色的動態(tài)開關性能。因此,這些具有超低開關損耗和低導通損耗的 MOSFET器件能夠保證極佳的能效和功率密度,同時簡化散熱管理。

OptiMOS功率開關采用緊湊的PQFN 2x2 mm2封裝,能夠縮小系統(tǒng)尺寸,讓終端用戶應用的幾何外形變得更加小巧、靈活。通過減少并聯(lián)需求,這些MOSFET器件提升了系統(tǒng)設計的可靠性,顯著降低了占板空間和系統(tǒng)成本。

供貨情況

全新OptiMOS 6 40V功率MOSFET(ISK057N04LM6)的導通電阻值為5.7 mΩ,OptiMOS 5 25V功率MOSFET(ISK024NE2LM5)和OptiMOS 5 30V功率MOSFET(ISK036N03LM5)的導通電阻值分別為2.4 mΩ和3.6 mΩ,這些MOSFET器件均采用改進的PQFN 2x2 mm2 封裝,現(xiàn)已開放訂購。如需了解更多信息,請訪問 www.infineon.com/optimos-6-40v和www.infineon.com/pqfn-2x2。

關于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者。英飛凌以其產品和解決方案推動低碳化和數字化進程。該公司在全球擁有約56,200名員工,在2022財年(截至9月30日)的收入約為142億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國的OTCQX國際場外交易市場上市(股票代碼:IFNNY)。

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英飛凌中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來,英飛凌的業(yè)務取得非常迅速的增長,在中國擁有約3,000多名員工,已經成為英飛凌全球業(yè)務發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業(yè)鏈,并在銷售、技術研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內領先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。

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