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英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

2023-12-07 16:29 來(lái)源:英飛凌 編輯:電源網(wǎng)

【2023年12月7日,德國(guó)慕尼黑訊】數(shù)據(jù)中心和計(jì)算應(yīng)用對(duì)電源的需求日益增長(zhǎng),需要提高電源的效率并設(shè)計(jì)緊湊的電源。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢(shì),推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率。

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OptiMOS 7 功率MOSFET

該半導(dǎo)體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置(Source-Down)封裝,標(biāo)準(zhǔn)門級(jí)和門級(jí)居中引腳排列形式均提供底部冷卻型和雙面冷卻型以供選擇;此外,該產(chǎn)品組合還包含穩(wěn)定可靠的超小型的PQFN 2 x 2 mm2封裝。OptiMOS? 7 15 V技術(shù)專為低輸出電壓下的DC-DC轉(zhuǎn)換定制,尤其適合服務(wù)器和計(jì)算環(huán)境。這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)符合數(shù)據(jù)中心配電中出現(xiàn)的48:1 DC-DC轉(zhuǎn)換的新趨勢(shì)。

與現(xiàn)有的OptiMOS5 25 V相比,全新OptiMOS? 7 15 V通過(guò)降低擊穿電壓,將 RDS(on) 和FOM Qg減少了約30%,并將FOM QOSS減少了約50%。PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置封裝型號(hào)提供更靈活優(yōu)化的PCB設(shè)計(jì)。PQFN 2 x 2 mm2封裝的脈沖電流能力超過(guò)500 A,典型RthJC為1.6 K/W。通過(guò)最大程度地減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗并采用先進(jìn)的封裝技術(shù),實(shí)現(xiàn)了簡(jiǎn)化散熱管理,樹立了功率密度和整體效率的新標(biāo)桿。

供貨情況

OptiMOS 7 15 V產(chǎn)品組合現(xiàn)已開放訂購(gòu)并提供兩種封裝尺寸:PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置封裝和PQFN 2 x 2 mm2封裝。更多信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn):www.infineon.com/optimos-7-15v。

關(guān)于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動(dòng)低碳化和數(shù)字化進(jìn)程。該公司在全球擁有約58,600名員工,在2023財(cái)年(截至9月30日)的營(yíng)收約為163億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國(guó)的OTCQX國(guó)際場(chǎng)外交易市場(chǎng)上市(股票代碼:IFNNY)。

更多信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.infineon.com

更多新聞,請(qǐng)登錄英飛凌新聞中心:https://www.infineon.com/cms/cn/about-infineon/press/market-news/  

英飛凌中國(guó)

英飛凌科技股份公司于1995年正式進(jìn)入中國(guó)大陸市場(chǎng)。自1995年10月在無(wú)錫建立第一家企業(yè)以來(lái),英飛凌的業(yè)務(wù)取得非常迅速的增長(zhǎng),在中國(guó)擁有約3,000多名員工,已經(jīng)成為英飛凌全球業(yè)務(wù)發(fā)展的重要推動(dòng)力。英飛凌在中國(guó)建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場(chǎng)、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈,并在銷售、技術(shù)研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。

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