
【2024年1月15日,德國慕尼黑訊】衛(wèi)星上的邊緣計(jì)算和推理可實(shí)現(xiàn)近乎實(shí)時(shí)的數(shù)據(jù)分析和決策制定。隨著聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的數(shù)量及其產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量不斷增長,這一點(diǎn)變得愈發(fā)重要。為滿足太空應(yīng)用中的這些高性能計(jì)算需求,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布推出采用英飛凌專利技術(shù)RADSTOP?設(shè)計(jì)的最新抗輻射(rad hard)異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。全新產(chǎn)品專為高可靠性和高性能極為關(guān)鍵的太空及其它惡劣環(huán)境應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
英飛凌抗輻射(rad hard)異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器
在高性能太空計(jì)算中,數(shù)據(jù)緩沖所需要的內(nèi)存比MCU或 FPGA片上存儲器所能提供的內(nèi)存更多。存儲器必須為實(shí)時(shí)處理應(yīng)用提供更高的性能并具有卓越的抗輻射性能,以滿足在惡劣環(huán)境中的任務(wù)要求。英飛凌的全新抗輻射靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)有8位、16位和32位寬配置,并帶有能進(jìn)行單比特錯(cuò)誤糾正的嵌入式糾錯(cuò)碼(ECC)。這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)使得糾錯(cuò)碼(ECC)邏輯能夠在讀取周期內(nèi)檢測并糾正任何讀取數(shù)據(jù)字中的單比特錯(cuò)誤。
英飛凌科技航空航天與國防業(yè)務(wù)副總裁兼研究員Helmut Puchner博士表示:“輻射效應(yīng)會導(dǎo)致靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)中不可避免的比特錯(cuò)誤,而使用系統(tǒng)級糾錯(cuò)碼(ECC)會增加設(shè)計(jì)復(fù)雜性和延遲。英飛凌的RADSTOP異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)提供了一種極其可靠的單芯片解決方案,可以在解決這些問題的同時(shí),滿足航天工業(yè)對抗輻射性能的要求?!?
英飛凌領(lǐng)先的RADSTOP技術(shù)通過自主設(shè)計(jì)和工藝強(qiáng)化技術(shù)實(shí)現(xiàn)了抗輻射性能,可滿足極端環(huán)境下的所有抗輻射要求。這款全新抗輻射存儲器獲得了QML-V認(rèn)證,能夠確保在極端環(huán)境下的可靠性和生命周期要求。這些半導(dǎo)體器件的存取時(shí)間短至10 ns,是目前速度最快的選擇。此外,它們還為最高的密度和最低的靜態(tài)電流提供了最小的占板面積。RADSTOP存儲器解決方案擴(kuò)展了整個(gè)系統(tǒng)的計(jì)算極限,同時(shí)具備尺寸、重量和功耗優(yōu)勢以及更大的設(shè)計(jì)靈活性。
供貨情況
英飛凌的抗輻射靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)現(xiàn)已上市。了解有關(guān)高可靠性和抗輻射存儲器解決方案產(chǎn)品組合的更多信息,請?jiān)L問www.infineon.com/hirelmemory。
關(guān)于英飛凌
英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動(dòng)低碳化和數(shù)字化進(jìn)程。該公司在全球擁有約58,600名員工,在2023財(cái)年(截至9月30日)的營收約為163億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國的OTCQX國際場外交易市場上市(股票代碼:IFNNY)。
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英飛凌中國
英飛凌科技股份公司于1995年正式進(jìn)入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來,英飛凌的業(yè)務(wù)取得非常迅速的增長,在中國擁有約3,000多名員工,已經(jīng)成為英飛凌全球業(yè)務(wù)發(fā)展的重要推動(dòng)力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈,并在銷售、技術(shù)研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。
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