
【2024年3月12日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比, 英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下,將MOSFET的主要性能指標(biāo)(如能量和電荷儲(chǔ)量)提高了20%,不僅提升了整體能效,更進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。
CoolSiC 650v-1200v
CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2) 技術(shù)繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢,通過降低能量損耗來提高功率轉(zhuǎn)換過程中的效率。這為光伏、儲(chǔ)能、直流電動(dòng)汽車充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)電源等功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域的客戶帶來了巨大優(yōu)勢。與前幾代產(chǎn)品相比,采用CoolSiC? G2 的電動(dòng)汽車直流快速充電站最高可減少10%的功率損耗,并且在不影響外形尺寸的情況下實(shí)現(xiàn)更高的充電功率。基于CoolSiC? G2器件的牽引逆變器可進(jìn)一步增加電動(dòng)汽車的續(xù)航里程。在可再生能源領(lǐng)域,采用 CoolSiC? G2的太陽能逆變器可以在保持高功率輸出的同時(shí)實(shí)現(xiàn)更小的尺寸,從而降低每瓦成本。
英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁 Peter Wawer 博士表示:“目前的大趨勢是采用高效的新方式來產(chǎn)生、傳輸和消耗能量。英飛凌憑借 CoolSiC? MOSFET G2 將碳化硅的性能提升到了新的水平。新一代碳化硅技術(shù)使廠商能夠更快地設(shè)計(jì)出成本更低、結(jié)構(gòu)更緊湊、性能更可靠,且效率更高的系統(tǒng),在實(shí)現(xiàn)節(jié)能的同時(shí)減少現(xiàn)場的每瓦二氧化碳排放。這充分體現(xiàn)了英飛凌堅(jiān)持不懈持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、消費(fèi)、汽車領(lǐng)域的低碳化和數(shù)字化的創(chuàng)新。”
英飛凌開創(chuàng)性的CoolSiC? MOSFET溝槽柵技術(shù)推動(dòng)了高性能CoolSiC? G2解決方案的發(fā)展,實(shí)現(xiàn)了更加優(yōu)化的設(shè)計(jì)選擇,與目前的SiC MOSFET技術(shù)相比,具有更高的效率和可靠性。結(jié)合屢獲殊榮的.XT封裝技術(shù),英飛凌以更高的導(dǎo)熱性、更優(yōu)的封裝控制以及更出色的性能,進(jìn)一步提升了基于 CoolSiC? G2 的設(shè)計(jì)潛力。
英飛凌掌握了硅、碳化硅和氮化鎵(GaN)領(lǐng)域的所有的關(guān)鍵功率技術(shù),可提供靈活的設(shè)計(jì)和領(lǐng)先的應(yīng)用知識(shí),滿足現(xiàn)代設(shè)計(jì)的期待和需求。在推動(dòng)低碳化的過程中,基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)材料的創(chuàng)新半導(dǎo)體已成為能源高效利用的關(guān)鍵。
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關(guān)于英飛凌
英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動(dòng)低碳化和數(shù)字化進(jìn)程。該公司在全球擁有約58,600名員工,在2023財(cái)年(截至9月30日)的營收約為163億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國的OTCQX國際場外交易市場上市(股票代碼:IFNNY)。
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英飛凌中國
英飛凌科技股份公司于1995年正式進(jìn)入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來,英飛凌的業(yè)務(wù)取得非常迅速的增長,在中國擁有約3,000多名員工,已經(jīng)成為英飛凌全球業(yè)務(wù)發(fā)展的重要推動(dòng)力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈,并在銷售、技術(shù)研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。
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