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東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員,其將助力工業(yè)電源設(shè)備實現(xiàn)高效率

2024-09-25 15:38 來源:東芝 編輯:電源網(wǎng)

中國上海,2024年9月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,最新推出第3代碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品,為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產(chǎn)品,其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。

最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品,其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進型結(jié)勢壘肖特基(JBS)結(jié)構(gòu)[1]。在結(jié)勢壘中使用新型金屬,有助于這些新產(chǎn)品實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的[2]1.27 V(典型值)低正向電壓、低總電容電荷和低反向電流。這可顯著降低較大電源應(yīng)用中的設(shè)備功耗。

東芝將繼續(xù)壯大其SiC電源器件的產(chǎn)品線,并將一如既往地專注于提高可降低工業(yè)電源設(shè)備功耗的效率。

應(yīng)用:

-光伏逆變器

-電動汽車充電站

-工業(yè)設(shè)備UPS的開關(guān)電源

特性:

-第3代1200 V SiC SBD

-業(yè)界領(lǐng)先的[2]低正向電壓:VF=1.27 V(典型值)(IF=IF(DC))

-低總電容電荷:TRS20H120H的QC=109 nC(典型值)(VR=800 V,f=1 MHz)

-低反向電流:TRS20H120H的IR=2.0 μA(典型值)(VR=1200 V)

主要規(guī)格:

(除非另有說明,Ta=25 °C)

微信截圖_20240925153934.png

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注:

[1] 改進型結(jié)勢壘肖特基(JBS)結(jié)構(gòu):該結(jié)構(gòu)將混合式PiN肖特基(MPS)結(jié)構(gòu)(可在大電流下降低正向電壓)整合在JBS結(jié)構(gòu)(不僅可降低肖特基接口的電場,而且還可減少電流泄漏)中。

[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的東芝調(diào)查。

如需了解新產(chǎn)品的更多信息,請訪問以下網(wǎng)址:

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SiC肖特基勢壘二極管

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第3代SiC肖特基勢壘二極管

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SiC電源器件

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*其他公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。

*本文檔中的產(chǎn)品價格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息,在公告之日仍為最新信息,但如有變更,恕不另行通知。

關(guān)于東芝電子元件及存儲裝置株式會社

東芝電子元件及存儲裝置株式會社是先進的半導(dǎo)體和存儲解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,公司累積了半個多世紀(jì)的經(jīng)驗和創(chuàng)新,為客戶和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。

公司22,200名員工遍布世界各地,致力于實現(xiàn)產(chǎn)品價值的最大化,東芝電子元件及存儲裝置株式會社十分注重與客戶的密切協(xié)作,旨在促進價值共創(chuàng),共同開拓新市場,公司現(xiàn)已擁有超過7,971億日元(49.6億美元)的年銷售額,期待為世界各地的人們建設(shè)更美好的未來并做出貢獻。

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