中國北京（2025年10月13日）—— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）與納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）共同設(shè)立的“數(shù)字能源聯(lián)合實驗室”在合肥正式揭牌。該實驗室將GD32 MCU領(lǐng)域的深厚積累，與納微半導(dǎo)體在高頻、高速、高集成度氮化鎵以及擁有溝槽輔助平面技術(shù)的GeneSiC碳化硅領(lǐng)域的產(chǎn)品優(yōu)勢相結(jié)合，面向AI數(shù)據(jù)中心、光伏逆變、儲能、充電樁、電動汽車等新興市場，提供智能、高效的數(shù)字能源解決方案。

納微半導(dǎo)體系統(tǒng)應(yīng)用工程副總裁黃秀成（右）與兆易創(chuàng)新高級副總裁、MCU事業(yè)部總經(jīng)理李寶魁（左）合影

夯實數(shù)字能源基石，注入強勁“芯”動力

自籌備以來，數(shù)字能源聯(lián)合實驗室已取得一系列豐碩成果，先后推出4.5kW、12kW服務(wù)器電源，以及500W單級微型逆變器等解決方案。這些方案以先進(jìn)拓?fù)?，滿足行業(yè)“高效率、高功率密度”等需求演進(jìn)方向。方案的落地不僅展現(xiàn)了兆易創(chuàng)新與納微半導(dǎo)體在數(shù)字能源領(lǐng)域的創(chuàng)新實力，也凸顯了雙方技術(shù)融合所帶來的獨特優(yōu)勢與市場競爭力。

500W單級光伏微逆方案基于兆易創(chuàng)新GD32G553 MCU與納微雙向GaNFast™氮化鎵功率芯片 ，采用單級一拖一架構(gòu)，具備高效率、低損耗、高集成度和成本優(yōu)化等優(yōu)勢。結(jié)合優(yōu)化的混合調(diào)制策略與軟開關(guān)技術(shù)，峰值效率超過5%，CEC效率超過97%，MPPT效率超過99.9%。單級架構(gòu)直接實現(xiàn)直流到交流的轉(zhuǎn)換，省去一級直流-直流變換環(huán)節(jié)，提升功率密度，并減少器件數(shù)量和損耗。通過磁集成設(shè)計與納微雙向氮化鎵開關(guān)，可進(jìn)一步縮小尺寸，降低BOM成本。

基于兆易創(chuàng)新GD32G553 MCU，結(jié)合納微GaNSafe™氮化鎵功率芯片與第三代快速碳化硅MOSFETs產(chǎn)品的5kW和12kW AI服務(wù)器電源方案，專為AI和傳統(tǒng)服務(wù)器以及超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心設(shè)計。其中的12kW方案不僅符合開放計算項目（OCP）、開放機架v3（ORv3）及CRPS規(guī)范，更以極簡元器件布局，超越80 PLUS紅寶石“Ruby”標(biāo)準(zhǔn)，實現(xiàn)97.8%峰值效率。

邁向全球能源轉(zhuǎn)型，推動綠色與智能技術(shù)融合

在全球能源轉(zhuǎn)型的大背景下，數(shù)字能源解決方案的需求正在迅速增長。AI、大數(shù)據(jù)、云計算等新興技術(shù)不斷推動能源行業(yè)的變革。特別是在綠色能源和智能電源管理領(lǐng)域，創(chuàng)新技術(shù)和系統(tǒng)集成已成為實現(xiàn)更高效、更環(huán)保、更可持續(xù)電力系統(tǒng)的關(guān)鍵。

揭牌儀式上，納微半導(dǎo)體系統(tǒng)應(yīng)用工程副總裁黃秀成與兆易創(chuàng)新高級副總裁、MCU事業(yè)部總經(jīng)理李寶魁共同為實驗室揭牌，并就未來合作方向及實驗室運營模式進(jìn)行了深入探討。雙方一致表示，將以聯(lián)合實驗室為平臺，深化技術(shù)協(xié)同，加速創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化。

納微半導(dǎo)體系統(tǒng)應(yīng)用工程副總裁黃秀成表示：“聯(lián)合實驗室的成立是納微半導(dǎo)體與兆易創(chuàng)新戰(zhàn)略合作深化的重要里程碑。我們將充分發(fā)揮氮化鎵技術(shù)在高效電源管理中的優(yōu)勢，結(jié)合兆易創(chuàng)新在MCU領(lǐng)域的深厚積淀，共同開發(fā)面向未來的數(shù)字能源解決方案，為全球客戶帶來更高效、更環(huán)保的創(chuàng)新產(chǎn)品。”

兆易創(chuàng)新高級副總裁、MCU事業(yè)部總經(jīng)理李寶魁表示：“數(shù)字能源是兆易創(chuàng)新的核心應(yīng)用方向之一。通過與納微半導(dǎo)體的合作，我們將高性能GD32 MCU與領(lǐng)先的GaNFast™氮化鎵技術(shù)深度融合，為客戶提供更具競爭力的解決方案。這不僅是技術(shù)層面的協(xié)同創(chuàng)新，更是雙方推動綠色能源、助力產(chǎn)業(yè)智能化轉(zhuǎn)型的堅定承諾。”

此次聯(lián)合實驗室的成立，不僅是對兆易創(chuàng)新與納微半導(dǎo)體前期合作成果的肯定，更預(yù)示著雙方在數(shù)字能源領(lǐng)域的廣闊合作前景。未來，實驗室將繼續(xù)以技術(shù)創(chuàng)新為核心，加速高效電源管理方案在更多應(yīng)用場景的落地，驅(qū)動數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。

關(guān)于納微半導(dǎo)體（Navitas）

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）是新一代功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，專注于氮化鎵（GaN）與集成電路（IC）器件，以及高壓碳化硅（SiC）技術(shù)研發(fā)，旨在推動人工智能與數(shù)據(jù)中心、能源與電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、高性能計算及工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的創(chuàng)新。憑借在寬禁帶技術(shù)領(lǐng)域超過30年的經(jīng)驗積累，納微旗下的GaNFast™功率芯片將氮化鎵功率器件、驅(qū)動、控制、感測與保護(hù)功能高度集成，實現(xiàn)更快的功率傳輸、更高的系統(tǒng)功率密度及更卓越的能效表現(xiàn)。GeneSiC™高壓碳化硅器件采用受專利保護(hù)的溝槽輔助平面技術(shù)，為中壓電網(wǎng)及基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的耐壓能力、效率與可靠性。納微半導(dǎo)體已擁有或正在申請的專利超過300項，是全球首家獲得CarbonNeutral®碳中和認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。

納微半導(dǎo)體、GaNFast、GaNSense、GeneSiC及Navitas標(biāo)志均為納微半導(dǎo)體有限公司及其附屬公司的商標(biāo)或注冊商標(biāo)。文中提及的其他品牌、產(chǎn)品名稱及標(biāo)志均為其各自所有者的商標(biāo)或注冊商標(biāo)。

關(guān)于兆易創(chuàng)新（GigaDevice）

兆易創(chuàng)新科技集團股份有限公司（股票代碼603986）是全球領(lǐng)先的Fabless芯片供應(yīng)商，公司成立于2005年4月，總部設(shè)于中國北京，在全球多個國家和地區(qū)設(shè)有分支機構(gòu)，營銷網(wǎng)絡(luò)遍布全球，提供優(yōu)質(zhì)便捷的本地化支持服務(wù)。兆易創(chuàng)新致力于構(gòu)建以存儲器、微控制器、傳感器、模擬產(chǎn)品為核心驅(qū)動力的完整生態(tài)，為工業(yè)、汽車、計算、消費電子、物聯(lián)網(wǎng)、移動應(yīng)用以及通信領(lǐng)域的客戶提供完善的產(chǎn)品技術(shù)和服務(wù)，已通過ISO26262:2018汽車功能安全最高等級ASIL D體系認(rèn)證，并獲得IEC 61508功能安全產(chǎn)品認(rèn)證以及ISO 9001、ISO 14001、ISO 45001等體系認(rèn)證和鄧白氏認(rèn)證。同時，公司與多家世界知名晶圓廠、封裝測試廠建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同推進(jìn)半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新。欲了解更多信息，請訪問：www.GigaDevice.com。