在RCC設(shè)計中,一般先設(shè)定工作頻率,如為50K,然後設(shè)定工作DUTY在90V入力,最大輸出時為0.5
假設(shè)設(shè)計一功率為12V/1A
1. 最大輸出電流為定格電流的1.2~1.4倍,取1.3倍.
2. 出力電力Pout = Vout × Iout = 12V×1.3A = 15.6W
3. 入力電力 Pin = Pout/∩=22.3W(RCC效率∩一般設(shè)在65%~75% , 取70%)
4. 入力平均電流Iin=Pin/Vdc(INmin)=22.3/85*1.2=0.22( Vin(DCmin) = Vac(Inmin)×1.2)
5. T=1/swF=1/50K=20uS Ton=Toff=10uS
6. Ipk=Iin入力平均電流*2/DUTY=0.22*2/0.5=0.88
7. 一次側(cè)電感量Lp=Vin(DCmin)*Ton/Ipk=102*10/0.88=1159uH取1160uH
8. 選擇磁芯,根據(jù)磁芯規(guī)格,選擇EI28. Ae=0.85CM^2 動作磁通=2000~2800取2000(當然,這是很保守的作法)
9. Np=Ipk*Lp*K/Ae*▲Bm=(0.88*1160*100)/(0.85*2000)=60Ts
10. Ns=(Vout+Vf)*Np/Vin(DCmin)=7.6 取8Ts
11. 輔助電壓取5V(電晶體) 如功率管使用MOSFET則應(yīng)設(shè)為11V
12. Vin(DCmin)/Np=Vb/Nb----Nb=2.94 取3Ts
故變壓器的構(gòu)造如下:
Lp=1160uH
Np=60Ts
Ns=7Ts
Nb=3Ts
采用三明治繞法.
以上
如有問題請回復(fù).
RCC設(shè)計方法詳解
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@michael1
請問三明治繞法﹐是怎么樣繞的可以講解一下嗎﹖具體變壓器是怎么樣繞的.
三明治繞法詳解:
所謂三明治就是夾層繞法,因結(jié)構(gòu)如同三明治一樣,所以叫三明治繞法.
通常會有兩種繞法:
1. 一次側(cè)平均法,就是a.最底層繞上一半的圈數(shù),b.然後再繞二次側(cè),c.再繞一次側(cè)的另一半.d.再繞Vcc. 最常用的做法還會在二次側(cè)上下兩層各加一銅箔或繞線屏蔽.在小功率上會起到Y(jié)電容的效果,所以說在小功率上有些人說可以不用Y電容,其實在整體成本上沒有太大的差別.
2. 屏蔽繞法, 就是a.最底層繞上與二次相同的圈數(shù),b.然後再繞二次側(cè),c.再繞一次側(cè)的其它圈數(shù).d.再繞Vcc. 這種方式很少加屏蔽.
當然還有很多種不同的配對方式.但基本原理是一樣的.
三明治的真正用意就是減小漏感,人為的在一次與二次之間加上一個寄生電容.
所謂三明治就是夾層繞法,因結(jié)構(gòu)如同三明治一樣,所以叫三明治繞法.
通常會有兩種繞法:
1. 一次側(cè)平均法,就是a.最底層繞上一半的圈數(shù),b.然後再繞二次側(cè),c.再繞一次側(cè)的另一半.d.再繞Vcc. 最常用的做法還會在二次側(cè)上下兩層各加一銅箔或繞線屏蔽.在小功率上會起到Y(jié)電容的效果,所以說在小功率上有些人說可以不用Y電容,其實在整體成本上沒有太大的差別.
2. 屏蔽繞法, 就是a.最底層繞上與二次相同的圈數(shù),b.然後再繞二次側(cè),c.再繞一次側(cè)的其它圈數(shù).d.再繞Vcc. 這種方式很少加屏蔽.
當然還有很多種不同的配對方式.但基本原理是一樣的.
三明治的真正用意就是減小漏感,人為的在一次與二次之間加上一個寄生電容.
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@cary.chen
三明治繞法詳解:所謂三明治就是夾層繞法,因結(jié)構(gòu)如同三明治一樣,所以叫三明治繞法.通常會有兩種繞法: 1.一次側(cè)平均法,就是a.最底層繞上一半的圈數(shù),b.然後再繞二次側(cè),c.再繞一次側(cè)的另一半.d.再繞Vcc. 最常用的做法還會在二次側(cè)上下兩層各加一銅箔或繞線屏蔽.在小功率上會起到Y(jié)電容的效果,所以說在小功率上有些人說可以不用Y電容,其實在整體成本上沒有太大的差別.2.屏蔽繞法,就是a.最底層繞上與二次相同的圈數(shù),b.然後再繞二次側(cè),c.再繞一次側(cè)的其它圈數(shù).d.再繞Vcc. 這種方式很少加屏蔽.當然還有很多種不同的配對方式.但基本原理是一樣的.三明治的真正用意就是減小漏感,人為的在一次與二次之間加上一個寄生電容.
三明治繞法是為了減小漏感!
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@cary.chen
三明治繞法詳解:所謂三明治就是夾層繞法,因結(jié)構(gòu)如同三明治一樣,所以叫三明治繞法.通常會有兩種繞法: 1.一次側(cè)平均法,就是a.最底層繞上一半的圈數(shù),b.然後再繞二次側(cè),c.再繞一次側(cè)的另一半.d.再繞Vcc. 最常用的做法還會在二次側(cè)上下兩層各加一銅箔或繞線屏蔽.在小功率上會起到Y(jié)電容的效果,所以說在小功率上有些人說可以不用Y電容,其實在整體成本上沒有太大的差別.2.屏蔽繞法,就是a.最底層繞上與二次相同的圈數(shù),b.然後再繞二次側(cè),c.再繞一次側(cè)的其它圈數(shù).d.再繞Vcc. 這種方式很少加屏蔽.當然還有很多種不同的配對方式.但基本原理是一樣的.三明治的真正用意就是減小漏感,人為的在一次與二次之間加上一個寄生電容.
應(yīng)該說這種繞法是增強初次級的耦合性,以減小漏感!
我說的對嗎?
我說的對嗎?
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@bijingxin
你好!你這個是成熟的方案嗎?另外還要請教兩個問題:1.Ipk公式是不是要在分母乘一個效率?2.Np的計算公式中K,是常數(shù)嗎?它是怎么推導出的?以上:如能賜教不勝感激!對了,還想請教一下反激變壓器的計算方法:Np=(VDCmin*Ton)/(Bm*Ac)這個公式準確嗎?算次級時按照安匝比的算法好象算出來的不太準確!
方案很保守,但一定可行,因為我用更不保守的作法都已經(jīng)做出來了.量產(chǎn)幾KK.Ipk不用再*效率了.因為效率在Iin中已有加入.
K值是一個單位換算的問題,如公式中的單位就是取100,如用標準單位則自己去換回來就好了.
公式?jīng)]有問題,只是頻率請不要用50K去設(shè)計.因為EMI在工作頻率的奇數(shù)倍是最不好過的.50*3=150K.已到了EMI需要測試的地方了.我只是為了計算方便.實際設(shè)計中請用45K~47K.會是比較好的.
K值是一個單位換算的問題,如公式中的單位就是取100,如用標準單位則自己去換回來就好了.
公式?jīng)]有問題,只是頻率請不要用50K去設(shè)計.因為EMI在工作頻率的奇數(shù)倍是最不好過的.50*3=150K.已到了EMI需要測試的地方了.我只是為了計算方便.實際設(shè)計中請用45K~47K.會是比較好的.
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@cary.chen
方案很保守,但一定可行,因為我用更不保守的作法都已經(jīng)做出來了.量產(chǎn)幾KK.Ipk不用再*效率了.因為效率在Iin中已有加入.K值是一個單位換算的問題,如公式中的單位就是取100,如用標準單位則自己去換回來就好了.公式?jīng)]有問題,只是頻率請不要用50K去設(shè)計.因為EMI在工作頻率的奇數(shù)倍是最不好過的.50*3=150K.已到了EMI需要測試的地方了.我只是為了計算方便.實際設(shè)計中請用45K~47K.會是比較好的.
在RCC電路中工作頻率是變的,輪入電壓低頻率也低,所以在90vac時是47khz,但在100VAC時就可能是50Khz,就變得毫無意義,是吧?
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@cary.chen
方案很保守,但一定可行,因為我用更不保守的作法都已經(jīng)做出來了.量產(chǎn)幾KK.Ipk不用再*效率了.因為效率在Iin中已有加入.K值是一個單位換算的問題,如公式中的單位就是取100,如用標準單位則自己去換回來就好了.公式?jīng)]有問題,只是頻率請不要用50K去設(shè)計.因為EMI在工作頻率的奇數(shù)倍是最不好過的.50*3=150K.已到了EMI需要測試的地方了.我只是為了計算方便.實際設(shè)計中請用45K~47K.會是比較好的.
1097780568.pdf
高手你好!我目前手上有一個RCC的案子,如上圖.按照你的方法計算的參數(shù)如下:1. Vin=100~264Vac(50~60Hz)
Vout:
2. V1=3.3V/1.3A;V2=12V/0.5A;22V/0.8A f=45KHz
3. Pout=(3.3*1.3+12*0.5+22*0.8)*1.3=36.3W
Pin=Pout/∩=36.3/0.7=52W
Iinrms=Pin/Vdcmin=52/120=0.43A
4. T=1/f=1/45K=22us Ton=Toff=11us
5. Ipk=Iin*2/D=1.72A
6. Lp=Vdcmin*Ton/Ipk=767uH
7. 選用EI28 0.85cm2 2000Gs
8. Np=Ipk*Lp*K/Ae*△Bm=(1.72*767*100)/(0.85*2000)=78Ts
9. Ns1=((3.3+0.7)*78)/120=3Ts (3.3V)
10. Ns2=(13*3)/4=10Ts (12V)
11. Ns3=(23*3)/4=18Ts (22V)
12. Nb=(12*78)/120=8Ts
請幫我看一下計算的對嗎?
高手你好!我目前手上有一個RCC的案子,如上圖.按照你的方法計算的參數(shù)如下:1. Vin=100~264Vac(50~60Hz)
Vout:
2. V1=3.3V/1.3A;V2=12V/0.5A;22V/0.8A f=45KHz
3. Pout=(3.3*1.3+12*0.5+22*0.8)*1.3=36.3W
Pin=Pout/∩=36.3/0.7=52W
Iinrms=Pin/Vdcmin=52/120=0.43A
4. T=1/f=1/45K=22us Ton=Toff=11us
5. Ipk=Iin*2/D=1.72A
6. Lp=Vdcmin*Ton/Ipk=767uH
7. 選用EI28 0.85cm2 2000Gs
8. Np=Ipk*Lp*K/Ae*△Bm=(1.72*767*100)/(0.85*2000)=78Ts
9. Ns1=((3.3+0.7)*78)/120=3Ts (3.3V)
10. Ns2=(13*3)/4=10Ts (12V)
11. Ns3=(23*3)/4=18Ts (22V)
12. Nb=(12*78)/120=8Ts
請幫我看一下計算的對嗎?
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@bijingxin
1097780568.pdf高手你好!我目前手上有一個RCC的案子,如上圖.按照你的方法計算的參數(shù)如下:1.Vin=100~264Vac(50~60Hz)Vout:2.V1=3.3V/1.3A;V2=12V/0.5A;22V/0.8A f=45KHz3.Pout=(3.3*1.3+12*0.5+22*0.8)*1.3=36.3WPin=Pout/∩=36.3/0.7=52WIinrms=Pin/Vdcmin=52/120=0.43A4.T=1/f=1/45K=22us Ton=Toff=11us5.Ipk=Iin*2/D=1.72A6.Lp=Vdcmin*Ton/Ipk=767uH7.選用EI28 0.85cm2 2000Gs8.Np=Ipk*Lp*K/Ae*△Bm=(1.72*767*100)/(0.85*2000)=78Ts9.Ns1=((3.3+0.7)*78)/120=3Ts(3.3V)10.Ns2=(13*3)/4=10Ts(12V)11.Ns3=(23*3)/4=18Ts(22V)12.Nb=(12*78)/120=8Ts請幫我看一下計算的對嗎?
RCC在做多組輸出時會要經(jīng)過調(diào)整的.因為多組輸出的負載變化率相對會比較困難.且效率做起來不是很好的,所以可能的話變壓器盡可能的大,其實變壓器增大對成本是沒什麼很大的關(guān)系,只是體積的要求合不合適的.現(xiàn)實中你的▲Bm可以到2500都是沒有問題的.公式與回路結(jié)構(gòu)也是會有一定關(guān)系的.整體來說應(yīng)無大問題,不過二次的圈數(shù)會有需要調(diào)整的可能.
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@bijingxin
1097780568.pdf高手你好!我目前手上有一個RCC的案子,如上圖.按照你的方法計算的參數(shù)如下:1.Vin=100~264Vac(50~60Hz)Vout:2.V1=3.3V/1.3A;V2=12V/0.5A;22V/0.8A f=45KHz3.Pout=(3.3*1.3+12*0.5+22*0.8)*1.3=36.3WPin=Pout/∩=36.3/0.7=52WIinrms=Pin/Vdcmin=52/120=0.43A4.T=1/f=1/45K=22us Ton=Toff=11us5.Ipk=Iin*2/D=1.72A6.Lp=Vdcmin*Ton/Ipk=767uH7.選用EI28 0.85cm2 2000Gs8.Np=Ipk*Lp*K/Ae*△Bm=(1.72*767*100)/(0.85*2000)=78Ts9.Ns1=((3.3+0.7)*78)/120=3Ts(3.3V)10.Ns2=(13*3)/4=10Ts(12V)11.Ns3=(23*3)/4=18Ts(22V)12.Nb=(12*78)/120=8Ts請幫我看一下計算的對嗎?
看你回路圖,還有一個最大的問題,就是變壓器的起繞點的問題,所有的都剛好反了.你這樣做出來的變壓器在EMI測試上會有很大的問題,或者說能過,也會要加入其它的對策元件.
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@cary.chen
RCC在做多組輸出時會要經(jīng)過調(diào)整的.因為多組輸出的負載變化率相對會比較困難.且效率做起來不是很好的,所以可能的話變壓器盡可能的大,其實變壓器增大對成本是沒什麼很大的關(guān)系,只是體積的要求合不合適的.現(xiàn)實中你的▲Bm可以到2500都是沒有問題的.公式與回路結(jié)構(gòu)也是會有一定關(guān)系的.整體來說應(yīng)無大問題,不過二次的圈數(shù)會有需要調(diào)整的可能.
謝謝!
一般來說磁性材料的磁導率與材質(zhì)有關(guān),是不是我們使用的錳鋅的軟磁材質(zhì)的取值都在2000~3000之間?
另外,還請你幫我的電路提點建議,你看一下有沒不合理的地方!
你是在深圳嗎?可以交個朋友嗎?能不能把你的聯(lián)系方式發(fā)到我的郵箱:bijingxin@163.com
等一下你在看一下我的繞法有沒有問題.
一般來說磁性材料的磁導率與材質(zhì)有關(guān),是不是我們使用的錳鋅的軟磁材質(zhì)的取值都在2000~3000之間?
另外,還請你幫我的電路提點建議,你看一下有沒不合理的地方!
你是在深圳嗎?可以交個朋友嗎?能不能把你的聯(lián)系方式發(fā)到我的郵箱:bijingxin@163.com
等一下你在看一下我的繞法有沒有問題.
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