昨天做推挽電路實(shí)驗(yàn),MOSFET控制信號(hào)由DSP發(fā)出,未加隔離.在負(fù)載端加上電容后,MOSFET發(fā)出微響聲.之后發(fā)現(xiàn)MOSFET柵漏極已經(jīng)短路,漏源極之間完好,DSP芯片被損.
實(shí)驗(yàn)輸入電壓只有36V,奇怪的是為何MOSFET柵漏極為何被擊穿?而漏源極完好?柵極不是有絕緣層的嗎?各位有沒有遇到過柵漏被擊穿的情況?困惑..困惑...求助各位達(dá)人,小妹在此先謝過了
求助達(dá)人:MOSFET居然柵漏極擊穿??
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@lingfengzi
xkw1老師能說的詳細(xì)點(diǎn)嗎?如果,D端電壓過高,那么漏源極也肯定打死啊;為何僅僅柵漏打死而漏源完好呢?還有,柵漏打死后,是怎么燒壞IC的?困惑!請(qǐng)幫忙解答下!謝謝!
最好先看下VGS有沒有超過MOS管的最大值,只要超過了最大值,哪怕是極短的時(shí)間,也會(huì)造成對(duì)柵極氧化層產(chǎn)生永久的損壞.還有就是IC的輸出與MOS管柵極的引線要越短越好.引線太長,它們之間存在的電感會(huì)容易使VGS電壓引起振蕩,使它的值超過最大限定值,可以在GS端加一穩(wěn)壓管來防止這種問題產(chǎn)生.
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@lingfengzi
xkw1老師能說的詳細(xì)點(diǎn)嗎?如果,D端電壓過高,那么漏源極也肯定打死啊;為何僅僅柵漏打死而漏源完好呢?還有,柵漏打死后,是怎么燒壞IC的?困惑!請(qǐng)幫忙解答下!謝謝!
MOSFET是由很多個(gè)小管子并聯(lián)組成的,我們把每個(gè)小MOSFET叫做胞.每個(gè)胞的柵都要通過多晶硅連到輸出引線上.每個(gè)胞的柵到引線的距離不一樣,電阻也就不同了,距離近的幾乎為零,遠(yuǎn)的有幾十歐,我們稱為柵寄生電阻.
如果MOSFET關(guān)的很快的話,遠(yuǎn)處胞的柵上感應(yīng)的密勒電流會(huì)很大;柵寄生電阻上產(chǎn)生的電壓會(huì)很高,有可能干掉胞的柵源的絕緣,導(dǎo)致柵源短路.當(dāng)然;這電壓同樣也有可能擊穿柵漏絕緣.
柵漏擊穿后,漏極的高壓大電流會(huì)灌入驅(qū)動(dòng)器,導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路損壞.
如果MOSFET關(guān)的很快的話,遠(yuǎn)處胞的柵上感應(yīng)的密勒電流會(huì)很大;柵寄生電阻上產(chǎn)生的電壓會(huì)很高,有可能干掉胞的柵源的絕緣,導(dǎo)致柵源短路.當(dāng)然;這電壓同樣也有可能擊穿柵漏絕緣.
柵漏擊穿后,漏極的高壓大電流會(huì)灌入驅(qū)動(dòng)器,導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路損壞.
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@xkw1
MOSFET是由很多個(gè)小管子并聯(lián)組成的,我們把每個(gè)小MOSFET叫做胞.每個(gè)胞的柵都要通過多晶硅連到輸出引線上.每個(gè)胞的柵到引線的距離不一樣,電阻也就不同了,距離近的幾乎為零,遠(yuǎn)的有幾十歐,我們稱為柵寄生電阻.如果MOSFET關(guān)的很快的話,遠(yuǎn)處胞的柵上感應(yīng)的密勒電流會(huì)很大;柵寄生電阻上產(chǎn)生的電壓會(huì)很高,有可能干掉胞的柵源的絕緣,導(dǎo)致柵源短路.當(dāng)然;這電壓同樣也有可能擊穿柵漏絕緣.柵漏擊穿后,漏極的高壓大電流會(huì)灌入驅(qū)動(dòng)器,導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路損壞.
大俠真厲害!MOSFET工藝也熟!
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@xkw1
MOSFET是由很多個(gè)小管子并聯(lián)組成的,我們把每個(gè)小MOSFET叫做胞.每個(gè)胞的柵都要通過多晶硅連到輸出引線上.每個(gè)胞的柵到引線的距離不一樣,電阻也就不同了,距離近的幾乎為零,遠(yuǎn)的有幾十歐,我們稱為柵寄生電阻.如果MOSFET關(guān)的很快的話,遠(yuǎn)處胞的柵上感應(yīng)的密勒電流會(huì)很大;柵寄生電阻上產(chǎn)生的電壓會(huì)很高,有可能干掉胞的柵源的絕緣,導(dǎo)致柵源短路.當(dāng)然;這電壓同樣也有可能擊穿柵漏絕緣.柵漏擊穿后,漏極的高壓大電流會(huì)灌入驅(qū)動(dòng)器,導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路損壞.
請(qǐng)問如果 是GS腳擊穿，其他腳微擊穿！ IC CS電阻也燒了！請(qǐng)教這樣 是什么問題引致的？！
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