單管正激變壓器在Mosfet導(dǎo)通結(jié)束時(shí)，原邊電流Ip達(dá)到最大，這個(gè)電流為原邊勵(lì)磁電流Imag與副邊折射電流nIo之和。現(xiàn)在問題是，變壓器飽和時(shí)，是哪個(gè)電流導(dǎo)致的？
半橋電路在死區(qū)時(shí)間內(nèi)為什么勵(lì)磁電流保持不變？書上說這個(gè)時(shí)候的勵(lì)磁電流是副邊兩個(gè)整流管電流只差，為什么？
半橋變壓器匝數(shù)計(jì)算N=(Vin/2)*Ton/deltaB/Ae，這個(gè)deltaB是多少？是一象限和三象限磁通變化之和嗎？還是僅僅是一個(gè)象限的磁通變化值？
1）對(duì)于第一個(gè)問題，我覺得應(yīng)該是勵(lì)磁電流Imag導(dǎo)致變壓器飽和。正激變壓器在工作時(shí)，變壓器原邊繞組電流產(chǎn)生的磁力線方向和副邊繞組產(chǎn)生的磁力線方向是相反的，那么變壓器就不會(huì)因?yàn)閚Io太大而導(dǎo)致變壓器飽和。反擊變壓器因?yàn)樵卪osfet導(dǎo)通過程中，副邊繞組沒有電流流過，而不能產(chǎn)生反方向的磁力線，此時(shí)原邊流過的電流完全為勵(lì)磁電流，因此原邊電流如果太大變壓器就會(huì)飽和，開氣隙可以解決因勵(lì)磁電流太大而飽和的問題。
2）第二個(gè)問題不知道怎么解釋
3）第三個(gè)問題我認(rèn)為deltaB應(yīng)該是一三象限磁通變化之和。今天和同事討論這個(gè)問題，同事說僅僅是一個(gè)象限磁通變化值。半橋的一個(gè)mosfet關(guān)斷時(shí)勵(lì)磁電流達(dá)到最大，死區(qū)時(shí)間內(nèi)保持不變，當(dāng)另外一個(gè)mosfet導(dǎo)通時(shí)，勵(lì)磁電流減小并且改變方向，因此磁通是逐漸由一個(gè)象限變到另外一個(gè)象限的，因此deltaB應(yīng)該是一三象限磁通變化之和。
