變壓器設(shè)計(jì)方法一樣的，比如AP法。

磁芯材料可用PC40之類的，大小跟輸出功率有關(guān)，根據(jù)輸出功率按照某種方法（比如AP法）選磁芯大小。

初級匝數(shù)也按照上面這種方法計(jì)算。匝比需要根據(jù)輸入、輸出電壓、占空比決定。

由于頻率較高，銅線要考慮趨膚效應(yīng)，可能需要選用多股線，并確定直徑。并根據(jù)期望的電流密度（比如6A/mm^2）選擇合適的多股線并聯(lián)數(shù)。

至于具體怎么計(jì)算，需要你自己去推導(dǎo)。

網(wǎng)上好像找不到PC40材料的性能參數(shù)，例如磁導(dǎo)率擺幅、飽和磁通、局里溫度、磁阻之類。

看到飛磁的3f3 3f4都可以滿足這個(gè)頻率，不知道5kw的磁芯價(jià)格怎么樣。

恩  我目前就是按照這個(gè)方法在設(shè)計(jì)。還有兩個(gè)問題：700khz下分布參數(shù)會不會很嚴(yán)重？主要考慮哪些？5kw的EMI也要注意什么吧?

分布參數(shù)會嚴(yán)重，導(dǎo)致計(jì)算與實(shí)際參數(shù)誤差較大，所以調(diào)試工作量會比較大。

布線比較重要，合理走線。

EMI可能反而好處理，因?yàn)殚_關(guān)頻率高，所以EMI濾波器會比較容易選擇。

功率較高，所以要注意EMI磁芯不要飽和。

打算用IGBT搭個(gè)全橋。我以前考慮的布局布線 都是在PCB上考慮的，PCB外的電線不太清楚怎么考慮。像IGBT的輸入、輸出引線，主變壓器的輸入輸出線，這些應(yīng)該都是要用電線的吧，改怎么處理呢？

EMI沒處理過，EMI濾波器是不是就是電源輸入口選用的濾波器啊？這個(gè)主要是逆制傳導(dǎo)發(fā)射的。輻射發(fā)射是不是各個(gè)部分用屏蔽罩隔離就好了？

IGBT能做到這么高頻率嗎？MOSFET比較適合吧。

自然是PCB布線，不推薦飛線。

EMI濾波器分輸入EMI濾波器和輸出EMI濾波器，看你的具體要求，對傳導(dǎo)輻射都有改善。

用屏蔽罩隔離是可以，但不是萬能的，具體問題還需要具體分析，主要還是要靠調(diào)試解決。

你在做不簡單的事……

按照你的描述 應(yīng)該是納秒范圍的功率脈沖

恩   是要用MOS管了。這MOS管型號改選怎樣的呢？

你是說開關(guān)管、變壓器、和輸出阻抗匹配 都應(yīng)該在一個(gè)PCB上？

沒上MHz哦  200khz--700khz

假如500khz的話，20個(gè)周期就是 40us的脈寬。

推薦都在PCB上（如果布線有困難，可以飛線），盡量不要有松動(dòng)的電線，實(shí)在不行也要把線盡量固定，不要隨意擺動(dòng)。

原來是間歇模式。

PC40 在700khz時(shí)損耗比有400kw/m3  散熱不過關(guān)的感覺

參數(shù)如鏈接：

http://www.tdk.co.jp/tcfx01/c16_1.pdf

間歇工作模式，原理是一樣的，沒區(qū)別。

肯定也有自身的特點(diǎn)，比如電路一直工作在動(dòng)態(tài)，穩(wěn)定性會怎么樣？

就好像這個(gè)電路一會工作一會不工作。1%時(shí)間有輸出，99%時(shí)間無輸出。而不是一直都有輸出。

恩   是要用MOS管了。這MOS管型號改選怎樣的呢？

你是說開關(guān)管、變壓器、和輸出阻抗匹配 都應(yīng)該在一個(gè)PCB上？

計(jì)算下MOS管的耐壓，電流，按照這個(gè)選，選法和別的電路沒有區(qū)別。

推薦是用PCB走線，這樣一致性好，容易控制。

恩  這個(gè)是這樣的，但具體怎么算動(dòng)態(tài)呢？

哦   這個(gè)我自己查找資料看看吧

計(jì)算MOS管的實(shí)際峰值電壓，比如計(jì)算出來是450V，然后留一定裕量（主要是電壓尖峰毛刺，以及留有一定裕量），比如150V（假設(shè)尖峰電壓100V，裕量50V），這樣就可以選擇600V耐壓的MOS管。計(jì)算MOS管的實(shí)際有效值電流，比如3A，按照經(jīng)驗(yàn)選3倍裕量，這樣就可以選擇9A的MOS管。

具體選什么管子，還是要測試決定，看是否滿足電壓降額要求、溫升降額要求。

選什么品牌的管子，最好是問在這方面有經(jīng)驗(yàn)的人，最好選用國外好的品牌。

脈沖功率有5kw  但平均功率只有50w。不知道磁芯是按脈沖功率還是平均功率來選？

個(gè)人以為MOS管需要600V30A（這是按照脈沖功率算的），很難找這樣的管子，到現(xiàn)在還沒找到