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在開環(huán)情況下,為什么BUCK電路的輸出電壓與輸入電壓不滿足占空比關(guān)系

在開環(huán)下，U0并不等于αE,而是小于它，這中間除了有快恢復(fù)二極管的壓降，還有什么因素，通過改變電感值的大小和負載的大小其輸出電壓也在改變，且電感都未飽和，在連續(xù)狀態(tài)，想不明白，和理論的分析有差距，這是為什么？小弟附上原理圖： 

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2013-07-15 12:07
主要是MOS，二極管，電感線圈，以及走線所帶來的壓降導(dǎo)致的。
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2013-07-16 17:09
@sometimes
主要是MOS，二極管，電感線圈，以及走線所帶來的壓降導(dǎo)致的。

在看了很多論壇的資料時，很多人都說跟負載的大小很有關(guān)系，是因為電流的大小而影響電路中各部分的壓降不同嗎？而且在分析電路的時候都是理想，所以不知道電路在什么狀態(tài)下其實際的效率會最高，而不是一直按100%來分析的。

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2013-07-16 17:09
@sometimes
主要是MOS，二極管，電感線圈，以及走線所帶來的壓降導(dǎo)致的。

關(guān)于電感線圈的影響可否分析得更詳細一些

 

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2013-07-16 19:51
Uo=D*Ui的前提條件是電感電流要處于連續(xù)狀態(tài)！
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2013-07-16 20:00
@gnaijnaoul
Uo=D*Ui的前提條件是電感電流要處于連續(xù)狀態(tài)！

是工作在連續(xù)狀態(tài)，輸出電壓VOUT

 

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2013-07-16 20:29
@tiantianyouyi
是工作在連續(xù)狀態(tài)，輸出電壓VOUT

占空比丟失也會使輸出電壓小于理論值！

MOSFET輸出的占空比可能比從芯片輸出的占空比要??！

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2013-07-17 09:32
@gnaijnaoul
占空比丟失也會使輸出電壓小于理論值！MOSFET輸出的占空比可能比從芯片輸出的占空比要??！

對，這個也是有可能的，謝謝。

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