與SBD相比，用同步整流，優(yōu)點(diǎn)是壓降小，阻斷電壓高 反向電流小等  

如用MOS做同步整流，須考慮三個(gè)較為關(guān)鍵的參數(shù)，一個(gè)為功耗，阻斷電壓，體二極管的恢復(fù)時(shí)間。。