先回帖 后學習！

幾W到100多W都是設計在DCM模式

司令能說說DCM的好處讓大家學習學習。

頂Z版的帖子 我的新案子就以您提供的這個芯片方案來做了

DCM模式可以降低IC的溫度，特別是集成MOS的IC.

DCM比CCM溫度低50°都是有的。

DCM相對CCM的好處能想到的大概有這些：

1、DCM下不存在右半平面問題，因此環(huán)路設計要考慮的簡單一些，特別是寬范圍輸入的情況下

2、DCM下不存在次諧波振蕩問題，因此峰值電流控制模式可以讓占空比超過0.5

3、DCM下初級的限流點不受輸入電壓變化影響，即使不加線電壓補償，過流保護點一致性也會不錯

4、DCM下MOSFET的漏源電容帶來的損耗以及二極管反向恢復損耗較CCM小

為何？

實際使用英飛凌的芯片測試了一下，在CCM模式下，環(huán)路比較難調(diào)整，在DCM模式下容易的多，關鍵變壓器圈數(shù)變得比較少，降低了變壓器的復雜性，效率沒有降低

我始終覺得CCM效率高。特別是低壓輸入的時候。

高壓輸入準諧振也不錯。

感覺效率不分上下

哇~好規(guī)整的回復，呼呼

周工按照您推薦的ICE3B0365J 做了設計了，輸入85-265 輸出5V 3W  EFD13變壓器AE 12.5，按您的DCM理論推薦個參數(shù)吧。我來驗證DCM下的效果。

是強強聯(lián)合的節(jié)奏嗎 哈哈哈哈

等待高手解讀

但是有好多中等功率的都在CCM模式！

我做到了先回帖，后學習

功率比較小時，基本都在DCM,變壓器好制作

對，先回帖，在學習

英飛凌的芯片，過流點高低壓很一致非常不錯

哈哈哈哈 軟廣告嗎

芯片就是為DCM模式設計，用于CCM要加補償

這個參數(shù)你變壓器繞不下，現(xiàn)在這個變壓器都可以出CV 5V,1A.

確實不好繞下。那就再減小匝數(shù)減小電感量了，進入更深的DCM。實際我拿0.1直徑的線繞初級4層繞出來了。當然不符合安規(guī)的方式了采用一些。

戛然而止了。。。沒有后續(xù)了 嗚嗚

待我開個新帖 發(fā)我這個ICE3B0365做的電源的全過程。