請(qǐng)教下后羿專家，mofet的能量測(cè)試指標(biāo)如何定義？
實(shí)際使用選型中，這類指標(biāo)需要如何選擇？
謝謝！
請(qǐng)教下后羿專家，mofet的能量測(cè)試指標(biāo)如何定義？
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專家倒是不敢當(dāng)，我個(gè)人覺得MOS管的選型要考慮有如下幾點(diǎn):
1.VDS:對(duì)MOS管的耐壓要求的考慮是首要的，一般來說MOS管的耐壓要比實(shí)際最高工作電壓高10%以上；
2.ID：我們考慮的ID一般要最少按MOS管工作在100度結(jié)溫的ID選擇留有余量；在PWM電源，工作電流要按峰值電流計(jì)算，而不是平均電流；
3.開關(guān)參數(shù)，驅(qū)動(dòng)要求；
4.安全區(qū)域和熱阻的復(fù)核，一般來說符合了第2點(diǎn)這點(diǎn)比較容易通過；
5.效率要求：有時(shí)候我們選擇的MOS管在良好散熱的情況下完全可以滿足安全性和壽命的要求，但是可能達(dá)不到效率要求，比如金牌電源的效率要求，這個(gè)時(shí)候我們需要選用電流更高等級(jí)或開關(guān)參數(shù)更快的MOS管。
6.封裝散熱要求，有時(shí)候就算前5點(diǎn)都達(dá)到要求了，但是手體積和散熱條件的影響我們不得不選用損耗更小的MOS管。
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@xzszrs
專家倒是不敢當(dāng)，我個(gè)人覺得MOS管的選型要考慮有如下幾點(diǎn):1.VDS:對(duì)MOS管的耐壓要求的考慮是首要的，一般來說MOS管的耐壓要比實(shí)際最高工作電壓高10%以上；2.ID：我們考慮的ID一般要最少按MOS管工作在100度結(jié)溫的ID選擇留有余量；在PWM電源，工作電流要按峰值電流計(jì)算，而不是平均電流；3.開關(guān)參數(shù)，驅(qū)動(dòng)要求；4.安全區(qū)域和熱阻的復(fù)核，一般來說符合了第2點(diǎn)這點(diǎn)比較容易通過；5.效率要求：有時(shí)候我們選擇的MOS管在良好散熱的情況下完全可以滿足安全性和壽命的要求，但是可能達(dá)不到效率要求，比如金牌電源的效率要求，這個(gè)時(shí)候我們需要選用電流更高等級(jí)或開關(guān)參數(shù)更快的MOS管。6.封裝散熱要求，有時(shí)候就算前5點(diǎn)都達(dá)到要求了，但是手體積和散熱條件的影響我們不得不選用損耗更小的MOS管。
你好第二點(diǎn)。要是假設(shè)一個(gè)電源峰值電流是3A那么MOS電流選擇多少？怎么計(jì)算？
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@紅色行者
mosfet的RON，是溫度的正函數(shù)，溫度100度時(shí)，RON會(huì)增大到常溫25度時(shí)的2倍，所以其ID選擇要算溫度余量。所以更多的時(shí)候選擇mosfet，不是選擇它的IDmax，而是選擇其RON。
個(gè)人認(rèn)為，設(shè)計(jì)者不僅對(duì)ID 比較關(guān)注，同時(shí)對(duì)熱阻和雪崩耐量也比較關(guān)注，因?yàn)楣β蔒os熱設(shè)計(jì)優(yōu)劣和抗沖擊性的強(qiáng)弱，直接影響到成品的可靠性，附個(gè)圖大家參考。
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@wangas176
個(gè)人認(rèn)為，設(shè)計(jì)者不僅對(duì)ID比較關(guān)注，同時(shí)對(duì)熱阻和雪崩耐量也比較關(guān)注，因?yàn)楣β蔒os熱設(shè)計(jì)優(yōu)劣和抗沖擊性的強(qiáng)弱，直接影響到成品的可靠性，附個(gè)圖大家參考。
RDSON和EAS確實(shí)也是重要的兩個(gè)參數(shù)，對(duì)于電機(jī)類感性負(fù)載會(huì)比較考慮EAS，對(duì)于低頻或直流負(fù)載會(huì)比較多考慮RDSON，對(duì)于高頻負(fù)載會(huì)比較多考慮開關(guān)參數(shù)。
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@seedsz
原來都有相關(guān)性啊
其實(shí)，看EAS更多的不是因?yàn)槟銕Я硕嗌俑行载?fù)載，而是回路中有多少雜散電感，這些雜散電感不參與正常的能量傳輸，而是在器件關(guān)斷的時(shí)候，強(qiáng)制對(duì)器件放電。對(duì)于某些應(yīng)用，例如逆變，系統(tǒng)設(shè)計(jì)的夠好，某些安全特性參數(shù)再差的管子也是可以用的很好的；而如果方案設(shè)計(jì)的不好，例如開機(jī)大電流沖擊，要看的MOSFET參數(shù)就不是RDSON，也不是EAS，反而是SOA了。很多器件，尤其是國產(chǎn)器件，SOA都是拿熱阻和內(nèi)阻算出來的，他們根本就沒測(cè)試出來過，甚至也不懂怎么測(cè)試。對(duì)于器件的國產(chǎn)化，除了廠商要認(rèn)真做，器件使用者也要像鐘工這樣的明白人?。?
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@Sam_Xiner
其實(shí)，看EAS更多的不是因?yàn)槟銕Я硕嗌俑行载?fù)載，而是回路中有多少雜散電感，這些雜散電感不參與正常的能量傳輸，而是在器件關(guān)斷的時(shí)候，強(qiáng)制對(duì)器件放電。對(duì)于某些應(yīng)用，例如逆變，系統(tǒng)設(shè)計(jì)的夠好，某些安全特性參數(shù)再差的管子也是可以用的很好的；而如果方案設(shè)計(jì)的不好，例如開機(jī)大電流沖擊，要看的MOSFET參數(shù)就不是RDSON，也不是EAS，反而是SOA了。很多器件，尤其是國產(chǎn)器件，SOA都是拿熱阻和內(nèi)阻算出來的，他們根本就沒測(cè)試出來過，甚至也不懂怎么測(cè)試。對(duì)于器件的國產(chǎn)化，除了廠商要認(rèn)真做，器件使用者也要像鐘工這樣的明白人啊！
高手啊，確實(shí)如此。有很多時(shí)候管子明明保護(hù)了，在保護(hù)之前還是好的，可是保護(hù)之后卻壞了第二次都開不起機(jī)了。
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@xzszrs
高手啊，確實(shí)如此。有很多時(shí)候管子明明保護(hù)了，在保護(hù)之前還是好的，可是保護(hù)之后卻壞了第二次都開不起機(jī)了。
我不是高手哈，略懂皮毛。用管子保護(hù)其實(shí)還是拿管子來扛一段時(shí)間的沖擊。沖擊過后，設(shè)計(jì)的不好的管子，內(nèi)傷的更厲害而已。這個(gè)扛沖擊的能力是和很多參數(shù)是矛盾統(tǒng)一的。有很多人喜歡用IR的老管子，IR的老管子長的結(jié)實(shí)跑的慢賣的貴，這都是系統(tǒng)設(shè)計(jì)不動(dòng)腦筋不得不接受的妥協(xié)。
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@xzszrs
專家倒是不敢當(dāng)，我個(gè)人覺得MOS管的選型要考慮有如下幾點(diǎn):1.VDS:對(duì)MOS管的耐壓要求的考慮是首要的，一般來說MOS管的耐壓要比實(shí)際最高工作電壓高10%以上；2.ID：我們考慮的ID一般要最少按MOS管工作在100度結(jié)溫的ID選擇留有余量；在PWM電源，工作電流要按峰值電流計(jì)算，而不是平均電流；3.開關(guān)參數(shù)，驅(qū)動(dòng)要求；4.安全區(qū)域和熱阻的復(fù)核，一般來說符合了第2點(diǎn)這點(diǎn)比較容易通過；5.效率要求：有時(shí)候我們選擇的MOS管在良好散熱的情況下完全可以滿足安全性和壽命的要求，但是可能達(dá)不到效率要求，比如金牌電源的效率要求，這個(gè)時(shí)候我們需要選用電流更高等級(jí)或開關(guān)參數(shù)更快的MOS管。6.封裝散熱要求，有時(shí)候就算前5點(diǎn)都達(dá)到要求了，但是手體積和散熱條件的影響我們不得不選用損耗更小的MOS管。
一般在FT測(cè)試的時(shí)候會(huì)做100% EAS耐量測(cè)試, 這個(gè)100% EAS耐量條件用極限耐量的百分之多少的? 不同廠家好像設(shè)定不同,有20%~80%之間,多少比例是最合適的,而且不會(huì)對(duì)芯片有損傷?
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