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暫無內(nèi)容
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evilwater：
所以芯派的超結(jié)MOSFET是采用深溝槽工藝的,怎么解決EAS和Trr問題?
2015-09-10 10:22 回復(fù)
原帖：COOLMOS與普通VDMOS的差異及應(yīng)用建議
evilwater：
芯派的超結(jié)MOSFET是用深溝槽工藝還是Muti-EPI工藝做的?
2015-09-10 10:19 回復(fù)
原帖：傳統(tǒng)MOSFET和超結(jié)MOSFET
evilwater：
一般在FT測試的時候會做100%EAS耐量測試,這個100%EAS耐量條件用極限耐量的百分之多少的?不同廠家好像設(shè)定不同,有20%~80%之間,多少比例是最合適的,而且不會對芯片有損傷?
2015-09-10 10:15 回復(fù)
原帖：請教下后羿專家，mofet的能量測試指標如何定義？
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