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正激變壓器磁芯飽和

我做一個雙端正激的開關(guān)電源，由于變壓器磁芯飽和，IGBT兩端的波形發(fā)生變化，而且如果不設(shè)計IGBT過流保護(hù)，就爆管了，大家?guī)臀曳治龇治?，這是什么原理，變壓器磁芯飽和會出現(xiàn)哪些問題
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2014-05-22 23:15

正常情況下，MOS管導(dǎo)通時，直流母線電壓加在變壓器初級繞組兩端，變壓器開始勵磁，并傳送能量。

磁芯飽和，且MOS導(dǎo)通時，初級變壓器繞組相當(dāng)于一根導(dǎo)線，不能承受直流電壓，直流母線電壓通過兩個雙管正激MOS管或IGBT和變壓器初級繞組接到地，電流非常大（理論計算一下，約400V的直流母線電壓除以毫歐級的阻抗），IGBT自然就“爆管”了。所以，開關(guān)電源里面，一般不允許變壓器、電感出現(xiàn)飽和，否則，會出現(xiàn)大電流而燒毀電路器件。

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LED小兵
LV.2
3
2014-05-23 11:24
坐等高手回答，頂一下！
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2014-05-23 13:36
@legendacer
正常情況下，MOS管導(dǎo)通時，直流母線電壓加在變壓器初級繞組兩端，變壓器開始勵磁，并傳送能量。磁芯飽和，且MOS導(dǎo)通時，初級變壓器繞組相當(dāng)于一根導(dǎo)線，不能承受直流電壓，直流母線電壓通過兩個雙管正激MOS管或IGBT和變壓器初級繞組接到地，電流非常大（理論計算一下，約400V的直流母線電壓除以毫歐級的阻抗），IGBT自然就“爆管”了。所以，開關(guān)電源里面，一般不允許變壓器、電感出現(xiàn)飽和，否則，會出現(xiàn)大電流而燒毀電路器件。
說得好，共模電感應(yīng)用于直流電源中，也會出現(xiàn)磁飽和嗎？
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2014-05-23 20:12
@化二為一
說得好，共模電感應(yīng)用于直流電源中，也會出現(xiàn)磁飽和嗎？

看你的共模信號大小了。

對差模電感來說，差模信號過大時，自然就會飽和；

同理共模電感用于抑制共模信號，當(dāng)共模信號過大時，自然也會飽和。如果電路中只有差模電流，共模電感兩個繞組，一個勵磁，一個去磁，自然就不會飽和。

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Xautlv
LV.1
6
2014-05-24 09:00
正激拓?fù)渥儔浩鞑粌Υ婺芰浚屑?xì)檢查變壓器設(shè)計吧！當(dāng)然，飽和必然會炸管子，畢竟電感“被”短路了嘛
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2014-05-24 12:53
@Xautlv
正激拓?fù)渥儔浩鞑粌Υ婺芰?，仔?xì)檢查變壓器設(shè)計吧！當(dāng)然，飽和必然會炸管子，畢竟電感“被”短路了嘛

變壓器不存儲能量，得出不容易飽和的結(jié)論。這個邏輯是不成立的，完全是兩個不同的概念，沒有因果關(guān)系。

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zhangjx
LV.1
8
2014-05-24 14:39
@legendacer
正常情況下，MOS管導(dǎo)通時，直流母線電壓加在變壓器初級繞組兩端，變壓器開始勵磁，并傳送能量。磁芯飽和，且MOS導(dǎo)通時，初級變壓器繞組相當(dāng)于一根導(dǎo)線，不能承受直流電壓，直流母線電壓通過兩個雙管正激MOS管或IGBT和變壓器初級繞組接到地，電流非常大（理論計算一下，約400V的直流母線電壓除以毫歐級的阻抗），IGBT自然就“爆管”了。所以，開關(guān)電源里面，一般不允許變壓器、電感出現(xiàn)飽和，否則，會出現(xiàn)大電流而燒毀電路器件。
非常感謝，那我這個是電流加大之后慢慢飽和的，不是立即飽和的，這個是什么原因呢，就是說電流加大之后，要過一會兒IGBT才會發(fā)生過流保護(hù)。
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2014-05-24 16:51
@zhangjx
非常感謝，那我這個是電流加大之后慢慢飽和的，不是立即飽和的，這個是什么原因呢，就是說電流加大之后，要過一會兒IGBT才會發(fā)生過流保護(hù)。

初始輸出的續(xù)流電感工作在斷續(xù)模式，電流慢慢加大過程中，占空比慢慢增加，即初級繞組上的導(dǎo)通時間慢慢加大，磁感應(yīng)強(qiáng)度也是慢慢增大，設(shè)計不合理的話，就會達(dá)到飽和點。

可以算一下磁感應(yīng)強(qiáng)度，deltaB=Vdc*Ton\(Np*Ae)，看有沒有超過磁芯的飽和磁感應(yīng)。

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peng425
LV.5
10
2014-05-25 21:30
@legendacer
變壓器不存儲能量，得出不容易飽和的結(jié)論。這個邏輯是不成立的，完全是兩個不同的概念，沒有因果關(guān)系。
有加退磁線圈沒有？
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rainever
LV.8
11
2014-05-26 11:01
@peng425
有加退磁線圈沒有？
雙管正激不需要退磁圈
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peng425
LV.5
12
2014-05-27 21:06
@rainever
雙管正激不需要退磁圈
那占空比有不有小于0.5？
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rainever
LV.8
13
2014-05-28 09:02
@peng425
那占空比有不有小于0.5？
需要<0.5
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sinican
LV.8
14
2014-05-28 09:19

正激變壓器飽和是因為輸入的直流分量過大導(dǎo)致

1. 是初級側(cè)繞組沒有復(fù)位，或者復(fù)位不完全

2. 正激變壓器可以適當(dāng)開一些氣隙，降低輸入的直流分量作用

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2014-06-04 10:56
@sinican
正激變壓器飽和是因為輸入的直流分量過大導(dǎo)致1.是初級側(cè)繞組沒有復(fù)位，或者復(fù)位不完全2.正激變壓器可以適當(dāng)開一些氣隙，降低輸入的直流分量作用
飽和了就不運轉(zhuǎn)了，正變壓器在選擇和設(shè)計時就應(yīng)該注意.......
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2014-06-04 16:03
@sinican
正激變壓器飽和是因為輸入的直流分量過大導(dǎo)致1.是初級側(cè)繞組沒有復(fù)位，或者復(fù)位不完全2.正激變壓器可以適當(dāng)開一些氣隙，降低輸入的直流分量作用
磁飽和是一件很可怕的事情的
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2014-06-04 23:33

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2014-06-06 16:34
@legendacer
看你的共模信號大小了。對差模電感來說，差模信號過大時，自然就會飽和；同理共模電感用于抑制共模信號，當(dāng)共模信號過大時，自然也會飽和。如果電路中只有差模電流，共模電感兩個繞組，一個勵磁，一個去磁，自然就不會飽和。
共模電感的能量應(yīng)該不大，因此大家可以用錳鋅鐵氧體
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2014-06-06 16:35
@zhangjx
非常感謝，那我這個是電流加大之后慢慢飽和的，不是立即飽和的，這個是什么原因呢，就是說電流加大之后，要過一會兒IGBT才會發(fā)生過流保護(hù)。
磁累積，就是磁芯的復(fù)位問題
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2014-06-06 16:36
@legendacer
變壓器不存儲能量，得出不容易飽和的結(jié)論。這個邏輯是不成立的，完全是兩個不同的概念，沒有因果關(guān)系。
伏秒特性與磁飽和問題，磁場強(qiáng)度會累積的
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mess
LV.2
21
2014-06-06 23:19
@化二為一
共模電感的能量應(yīng)該不大，因此大家可以用錳鋅鐵氧體
某些場合非常大
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2018-05-17 15:13
@legendacer
正常情況下，MOS管導(dǎo)通時，直流母線電壓加在變壓器初級繞組兩端，變壓器開始勵磁，并傳送能量。磁芯飽和，且MOS導(dǎo)通時，初級變壓器繞組相當(dāng)于一根導(dǎo)線，不能承受直流電壓，直流母線電壓通過兩個雙管正激MOS管或IGBT和變壓器初級繞組接到地，電流非常大（理論計算一下，約400V的直流母線電壓除以毫歐級的阻抗），IGBT自然就“爆管”了。所以，開關(guān)電源里面，一般不允許變壓器、電感出現(xiàn)飽和，否則，會出現(xiàn)大電流而燒毀電路器件。

請問這種情況下磁芯飽和會燒毀開關(guān)管的同時變壓器會不會也燒毀??？我也出現(xiàn)了樓主出現(xiàn)的那種情況，占空比達(dá)到了0.5磁芯飽和少了開關(guān)管，后來換來開關(guān)管再實驗直接由電路短路，這是變壓器也被燒壞了嗎？

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