正激變壓器磁芯飽和
我做一個(gè)雙端正激的開關(guān)電源，由于變壓器磁芯飽和，IGBT兩端的波形發(fā)生變化，而且如果不設(shè)計(jì)IGBT過流保護(hù)，就爆管了，大家?guī)臀曳治龇治觯@是什么原理，變壓器磁芯飽和會出現(xiàn)哪些問題
全部回復(fù)(21)
正序查看
倒序查看
@legendacer
正常情況下，MOS管導(dǎo)通時(shí)，直流母線電壓加在變壓器初級繞組兩端，變壓器開始勵(lì)磁，并傳送能量。磁芯飽和，且MOS導(dǎo)通時(shí)，初級變壓器繞組相當(dāng)于一根導(dǎo)線，不能承受直流電壓，直流母線電壓通過兩個(gè)雙管正激MOS管或IGBT和變壓器初級繞組接到地，電流非常大（理論計(jì)算一下，約400V的直流母線電壓除以毫歐級的阻抗），IGBT自然就“爆管”了。所以，開關(guān)電源里面，一般不允許變壓器、電感出現(xiàn)飽和，否則，會出現(xiàn)大電流而燒毀電路器件。
說得好，共模電感應(yīng)用于直流電源中，也會出現(xiàn)磁飽和嗎？
0
回復(fù)
@legendacer
正常情況下，MOS管導(dǎo)通時(shí)，直流母線電壓加在變壓器初級繞組兩端，變壓器開始勵(lì)磁，并傳送能量。磁芯飽和，且MOS導(dǎo)通時(shí)，初級變壓器繞組相當(dāng)于一根導(dǎo)線，不能承受直流電壓，直流母線電壓通過兩個(gè)雙管正激MOS管或IGBT和變壓器初級繞組接到地，電流非常大（理論計(jì)算一下，約400V的直流母線電壓除以毫歐級的阻抗），IGBT自然就“爆管”了。所以，開關(guān)電源里面，一般不允許變壓器、電感出現(xiàn)飽和，否則，會出現(xiàn)大電流而燒毀電路器件。
非常感謝，那我這個(gè)是電流加大之后慢慢飽和的，不是立即飽和的，這個(gè)是什么原因呢，就是說電流加大之后，要過一會兒IGBT才會發(fā)生過流保護(hù)。
0
回復(fù)
@zhangjx
非常感謝，那我這個(gè)是電流加大之后慢慢飽和的，不是立即飽和的，這個(gè)是什么原因呢，就是說電流加大之后，要過一會兒IGBT才會發(fā)生過流保護(hù)。
初始輸出的續(xù)流電感工作在斷續(xù)模式，電流慢慢加大過程中，占空比慢慢增加，即初級繞組上的導(dǎo)通時(shí)間慢慢加大，磁感應(yīng)強(qiáng)度也是慢慢增大，設(shè)計(jì)不合理的話，就會達(dá)到飽和點(diǎn)。
可以算一下磁感應(yīng)強(qiáng)度，deltaB=Vdc*Ton\(Np*Ae)，看有沒有超過磁芯的飽和磁感應(yīng)。
0
回復(fù)
@legendacer
正常情況下，MOS管導(dǎo)通時(shí)，直流母線電壓加在變壓器初級繞組兩端，變壓器開始勵(lì)磁，并傳送能量。磁芯飽和，且MOS導(dǎo)通時(shí)，初級變壓器繞組相當(dāng)于一根導(dǎo)線，不能承受直流電壓，直流母線電壓通過兩個(gè)雙管正激MOS管或IGBT和變壓器初級繞組接到地，電流非常大（理論計(jì)算一下，約400V的直流母線電壓除以毫歐級的阻抗），IGBT自然就“爆管”了。所以，開關(guān)電源里面，一般不允許變壓器、電感出現(xiàn)飽和，否則，會出現(xiàn)大電流而燒毀電路器件。
請問這種情況下磁芯飽和會燒毀開關(guān)管的同時(shí)變壓器會不會也燒毀啊？我也出現(xiàn)了樓主出現(xiàn)的那種情況，占空比達(dá)到了0.5磁芯飽和少了開關(guān)管，后來換來開關(guān)管再實(shí)驗(yàn)直接由電路短路，這是變壓器也被燒壞了嗎？
0
回復(fù)
