大家好：
我最近遇到個問題，就是反激變壓器設(shè)計時，效率也不低，但溫升很高，請教大家如何解決溫升的問題？
疑問: 1. 溫升高是不是和Bac取值大有關(guān)系？
2. 氣息是不是太大？
3.開關(guān)頻率是不是低？
變壓器溫升問題
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@yswang
1. 先確認量測溫度是否正確(關(guān)機溫度緩慢下降),有時候,量測線會受干擾2. 一般ferrite鐵損低,倒是銅損可能較大,確認線徑是否足夠,改用細線多條會有改善3. 變壓器選用Ae值較大鐵心會有明顯改善4. 氣隙先用墊的,確認是否氣隙影響銅損
1.測量不會錯誤
2.確實是線熱，改用線徑有效果，但不是很好
3.Ae不能改變，因為體積PCB封裝一定
4.氣息墊的效果和中心柱稍有區(qū)別，但墊氣息不使用批量生產(chǎn)
現(xiàn)調(diào)試發(fā)現(xiàn)：
變壓器繞制時初級-次級-初級，每1/2初級占兩層，兩層之間墊一層絕緣，溫升能低10度左右，我的理解：加墊一層絕緣膠帶，增加了層間距離，間接減少層間電容，但減少層間電容對溫升有什么好處？另減少層間電容同時增加層間距離，即對于耦合效果會變差，我覺得效率會變低，實際上 并沒有變多少，但溫升卻小來10度，請給解釋下原因，謝謝
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@rsszd
1.測量不會錯誤2.確實是線熱，改用線徑有效果，但不是很好3.Ae不能改變，因為體積PCB封裝一定4.氣息墊的效果和中心柱稍有區(qū)別，但墊氣息不使用批量生產(chǎn) 現(xiàn)調(diào)試發(fā)現(xiàn)：變壓器繞制時初級-次級-初級，每1/2初級占兩層，兩層之間墊一層絕緣，溫升能低10度左右，我的理解：加墊一層絕緣膠帶，增加了層間距離，間接減少層間電容，但減少層間電容對溫升有什么好處？另減少層間電容同時增加層間距離，即對于耦合效果會變差，我覺得效率會變低，實際上并沒有變多少，但溫升卻小來10度，請給解釋下原因，謝謝
兩層之間墊一層絕緣可減少線間電容(此電容近似snubber電容),可減低開關(guān)導(dǎo)通瞬間損失,一般是工作在CCM效果較明顯,若是DCM或許也可減少一些鄰近效應(yīng)造成的損失
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@sinican
看你所需要傳輸?shù)墓β屎妥儔浩鞔判镜拇笮?/span>
輸出28V，峰值電流5A，正常輸出2A，測試的效率是在2A時測試的
反激變壓器設(shè)計參數(shù)：
EER2834磁芯，Ae=0.814cm，f=65khz，Dmax=0.45，最低輸入電壓165V，設(shè)計最大功率時為ccm模式，Krp=0.85，Bac=0.255，效率設(shè)計按0.84
我設(shè)計的參數(shù)如下：
初級：0.35單線68圈
次級：0.5雙線13圈
輔助:0.35單線10圈
電感量：440uH
氣息采用磨中心柱1.3----1.4mm之間
如果初級和次級都加粗一倍的線繞制，得到的效率將降低1%，請教為什么溫升那么高？
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@小礦石
功率多大，單一的效率不能說明問題啊
輸出28V，峰值電流5A，正常輸出2A，測試的效率是在2A時測試的
反激變壓器設(shè)計參數(shù)：
EER2834磁芯，Ae=0.814cm，f=65khz，Dmax=0.45，最低輸入電壓165V，設(shè)計最大功率時為ccm模式，Krp=0.85，Bac=0.255，效率設(shè)計按0.84
我設(shè)計的參數(shù)如下：
初級：0.35單線68圈
次級：0.5雙線13圈
輔助:0.35單線10圈
電感量：440uH
氣息采用磨中心柱1.3----1.4mm之間
如果初級和次級都加粗一倍的線繞制，得到的效率將降低1%，請教為什么溫升那么高？
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@rsszd
輸出28V，峰值電流5A，正常輸出2A，測試的效率是在2A時測試的反激變壓器設(shè)計參數(shù)：EER2834磁芯，Ae=0.814cm，f=65khz，Dmax=0.45，最低輸入電壓165V，設(shè)計最大功率時為ccm模式，Krp=0.85，Bac=0.255，效率設(shè)計按0.84我設(shè)計的參數(shù)如下：初級：0.35單線68圈次級：0.5雙線13圈輔助:0.35單線10圈電感量：440uH氣息采用磨中心柱1.3----1.4mm之間如果初級和次級都加粗一倍的線繞制，得到的效率將降低1%，請教為什么溫升那么高？
跟據(jù)個人經(jīng)驗，效率下降一個點溫升會高10度左右，線徑加大，磁芯耦合問題，所以效率會降，你試一下只加次級看看效率。
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