初級繞組

圖7所述的所有的變壓器結(jié)構(gòu)類型當(dāng)中，初級繞組（或初級繞組的一部分）都作為第一個(gè)或靠近骨架最里面的 繞組。這樣可以保證每圈用線的平均長度盡可能短，降低 了初級繞組的寄生電容。同時(shí)，如果初級繞組作為變壓器最里面的繞組，它可以被變壓器中其它的繞組屏蔽，從而可以降低初級繞組與其它鄰近元件的噪聲耦合。 繞組的起始端應(yīng)為初級繞組的驅(qū)動端（連接至TOPSwitch漏極的一端）。這樣可以保證具有最大電壓漂移的一半初級繞組被其它繞組或另一半初級繞組所屏蔽，從而降 低變壓器初級側(cè)與電源中其它部件之間的EMI耦合。 初級繞組采用兩層或更低的層數(shù)繞制。這樣可以減小初級繞組的電容并降低變壓器的漏感。在初級繞組的層間增加一層膠帶可以將初級繞組電容減小四倍。這一點(diǎn)對于使用TOP200和TOP210的低功率應(yīng)用尤其重要。它可以防止在TOPSwitch開通時(shí)變壓器繞組電容放電而產(chǎn)生的初始電流尖峰誤觸發(fā)TOPSwitch的限流點(diǎn)。

初級偏置繞組

電源采用初級側(cè)穩(wěn)壓方式還是次級側(cè)的穩(wěn)壓方式?jīng)Q定了初級偏置繞組的最佳位置。如果電源采用次級側(cè)的穩(wěn)壓方式，偏置繞組應(yīng)位于初級繞組和次級繞組之間，如圖7A和7C所示。當(dāng)偏置繞組位于初級和次級之間時(shí)，它相當(dāng)于一個(gè)連接至初級返回端的EMI屏蔽層，降低了電源產(chǎn)生的傳導(dǎo)EMI。在使用次級穩(wěn)壓方式且采用擋墻繞制結(jié)構(gòu)變壓器的設(shè)計(jì)當(dāng)中，將初級偏置繞組放置在初級和次級之間同時(shí)可以減少變壓器中擋墻和加強(qiáng)絕緣材料的使用。對于使用初級穩(wěn)壓方式的電源設(shè)計(jì)，偏置繞組應(yīng)該作為變壓器中最外面的繞組，如圖7B和7D所示。這樣可以使初級偏置繞組和次級繞組最大限度地耦合，并降低偏置繞組和初級之間的耦合，從而改善電源的輸出穩(wěn)壓 精度。通過與次級較好的耦合，偏置繞組可以對輸出電壓的變化做出更精確的反應(yīng)，進(jìn)而改善穩(wěn)壓精度。 同時(shí)，由此產(chǎn)生的偏置繞組和初級之間較差的耦合， 降低了初級漏感尖峰對降低對偏置繞組的峰值充電， 從而改善穩(wěn)壓精度。如果偏置繞組僅與初級之間進(jìn)行松散的耦合，可以利用與初級偏置繞組輸出相串聯(lián)的一個(gè)小電阻對漏感尖峰進(jìn)行濾波，改善電源的負(fù)載調(diào)整率。詳情請參見設(shè)計(jì)指南DN-8中的描述。初級偏置繞組應(yīng)完全占滿一整層的骨架。如果偏置繞組的圈數(shù)比較少，可以適當(dāng)增加偏置繞組繞線的尺寸， 或者使用多股并聯(lián)的繞線方式。利用此方法來提高偏置繞組的填充系數(shù)可以在次級穩(wěn)壓方式的電源當(dāng)中改善繞組的屏蔽作用，而在初級穩(wěn)壓方式的電源當(dāng)中可以提高次級繞組和偏置繞組之間的耦合。