久久久国产精品视频袁燕,99re久久精品国产,亚洲欧美日韩国产综合v,天天躁夜夜躁狠狠久久,激情五月婷婷激情五月婷婷

通過調整使能與禁止開關周期的比例，可以維持穩(wěn)壓。

在設計中為了保證電路的可靠性，對電路中的不同器件和不同關鍵節(jié)點進行了開路、短路試驗。

這有效地增加了MOSFET漏-源極(RDS(ON))的導通電阻，但是，降低了轉換器的效率。

嚴格指定的反饋(FB)引腳電壓參考能使可實現(xiàn)通用輸入初級側穩(wěn)壓電源，并且在5%負載到滿載之間實現(xiàn)精確恒壓。

無論是電源保護特性的響應機制還是各種保護的觸發(fā)閾值均可通過軟件進行外部設定，這極大地增加了電源設計性能的設計靈活性。

恒定功率（CP）配置，通過連續(xù)調節(jié)輸出電流和電壓，最大限度地縮短充電時間

以SR驅動FET的Q1為核心的，接有降低紋波的輸出濾波電容及進一步降低高頻尖峰電壓的二級LC(L2-C8)濾波回路。

每種布局都有不同的最大輸出電流或功率限制，必須要留有一定的余量。

GaN晶體管硅晶體管電源的效率更高、溫度更低、尺寸更小，率先實現(xiàn)大功率電源的無散熱片設計。

變壓器的漏感和分布電容必須減至最小，因為這些因素會引起浪涌電流和尖峰電壓，導致?lián)p耗增加。