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  • 為什么汽車級(jí)芯片InnoSwitch3-AQ采用StackFET技術(shù)來增加耐壓呢？

為什么汽車級(jí)芯片InnoSwitch3-AQ采用StackFET技術(shù)來增加耐壓呢？

     InnoSwitch3-AQ主用是用在汽車應(yīng)用中，符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，還要通過ISO/TS 16949的質(zhì)量驗(yàn)證，汽車級(jí)的芯片要求更高，對(duì)于參數(shù)要求更嚴(yán)格，如果母線電壓達(dá)到 400V，采用內(nèi)部 集成的750V 的耐壓，如果母線電壓達(dá)到800V就采用StackFET技術(shù)并一個(gè)MOS管的增加耐壓，采用800V的母線電壓，，同時(shí)輸出二極管采用Qspeed 汽車級(jí)整流二極管搭配都可以提高電源的效率，減少熱量。能否講講為什么PI不采用IGBT等耐壓高的管子，而是采用StackFET技術(shù)來增加耐壓呢？

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lx25hb
LV.8
2
2021-07-11 16:43

如果對(duì)電源的效率要求比較高，可以采用同步整流，如果對(duì)成本有要求，可以采用普通的二極管。

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uf_1269
LV.8
3
2021-07-11 16:50
@lx25hb
如果對(duì)電源的效率要求比較高，可以采用同步整流，如果對(duì)成本有要求，可以采用普通的二極管。

如果使用普通的二極管整流，可以采用PI的Qspeed汽車級(jí)整流二極管。

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cb_mmb
LV.8
4
2021-07-11 16:52

InnoSwitch3-AQ設(shè)計(jì)可在很大的輸入電壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)小于10 mW的空載能耗。

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trllgh
LV.10
5
2021-07-11 16:59
@cb_mmb
InnoSwitch3-AQ設(shè)計(jì)可在很大的輸入電壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)小于10mW的空載能耗。

StackFET方法就是在初級(jí)測(cè)疊加另外一個(gè)MOSFET，這樣能夠很好地應(yīng)對(duì)800V母線電壓的需求。

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2021-07-11 17:01
@uf_1269
如果使用普通的二極管整流，可以采用PI的Qspeed汽車級(jí)整流二極管。

Qspeed是類似于SiC特性的二極管，但成本要便宜很多的。

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dianre888
LV.6
7
2021-07-12 12:39
@trllgh
StackFET方法就是在初級(jí)測(cè)疊加另外一個(gè)MOSFET，這樣能夠很好地應(yīng)對(duì)800V母線電壓的需求。

是的，串聯(lián)后，電壓就是串聯(lián)的MOSFET的電壓加上InnoSwitch3上的電壓，這樣就可以增加耐壓了。

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spowergg
LV.10
8
2021-07-12 12:44
@dianre888
是的，串聯(lián)后，電壓就是串聯(lián)的MOSFET的電壓加上InnoSwitch3上的電壓，這樣就可以增加耐壓了。

如果單個(gè)MOS管的話，800V的母線電壓，耐壓要1000V左右了，MOS管這么高的電壓型號(hào)比較少。

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xxbw6868
LV.10
9
2021-07-12 12:48
@大海的兒子
Qspeed是類似于SiC特性的二極管，但成本要便宜很多的。

具體要選擇同步整流，還是二極管整流，主要還是看客戶的需求。

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beakline
LV.6
10
2021-07-12 12:54
@spowergg
如果單個(gè)MOS管的話，800V的母線電壓，耐壓要1000V左右了，MOS管這么高的電壓型號(hào)比較少。

可以選擇IGBT的，SIC等開關(guān)管壓，但是成本會(huì)比較高一些。

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dbg_ux
LV.9
11
2021-07-12 17:23
@beakline
可以選擇IGBT的，SIC等開關(guān)管壓，但是成本會(huì)比較高一些。

StackFET除了增加耐壓功能，還可以增加電源的散熱條件。

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kckcll
LV.9
12
2021-07-12 17:29
@xxbw6868
具體要選擇同步整流，還是二極管整流，主要還是看客戶的需求。

一般來說二極管整流更具成本優(yōu)勢(shì)，同步整流更加高效。

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gxg1122
LV.10
13
2021-07-13 18:45
@trllgh
StackFET方法就是在初級(jí)測(cè)疊加另外一個(gè)MOSFET，這樣能夠很好地應(yīng)對(duì)800V母線電壓的需求。

對(duì)的，這樣保證產(chǎn)品的耐壓足夠高，在汽車應(yīng)急電源的輸入電壓范圍均可正常工作。

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gxg1122
LV.10
14
2021-07-13 18:46
@dianre888
是的，串聯(lián)后，電壓就是串聯(lián)的MOSFET的電壓加上InnoSwitch3上的電壓，這樣就可以增加耐壓了。

是的串聯(lián)的作用，畢竟母線800V的電壓要求比較高的。

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gxg1122
LV.10
15
2021-07-13 18:46
@kckcll
一般來說二極管整流更具成本優(yōu)勢(shì)，同步整流更加高效。

這個(gè)設(shè)計(jì)技術(shù)要求看怎么提的了。高效率的設(shè)計(jì)選擇同步整流還是比較好。

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@trllgh
StackFET方法就是在初級(jí)測(cè)疊加另外一個(gè)MOSFET，這樣能夠很好地應(yīng)對(duì)800V母線電壓的需求。

方案所需的元件數(shù)極少，無散熱片都是通過PCB面積來散熱的。

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2021-09-20 08:46

IGBT的驅(qū)動(dòng)復(fù)雜開關(guān)頻率也低，同價(jià)格區(qū)間

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2021-11-25 16:10

看起來好像耐壓效果更好。汽車電子里面抗浪涌是一項(xiàng)重要的指標(biāo)。

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2021-11-25 16:24

目前汽車成熟后對(duì)成本控制比較明顯，另外一個(gè)就是體積問題，IGBT不能提供較高的頻率以及拖尾現(xiàn)象所以很難做

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