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為什么GaN MOSFET耐壓做不到1000V以上，而SiC可以？

為什么GaN耐壓做不到1000V以上，而SiC可以？
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LWP1994
LV.1
2
2018-07-26 20:58
目前GaN器件的結構主要是橫向結構，橫向結構電壓很難做上去。
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小白樹
LV.1
3
2018-10-26 14:22
記得sic器件的結構主要是縱向結構，外延層厚度1微米對應100V的電壓
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