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MOS驅(qū)動(dòng)為什么用兩個(gè)三極管?

MOS驅(qū)動(dòng)

如題,截圖中為什么用了兩個(gè)三極管來驅(qū)動(dòng)?

而且R97是1K的,能滿足MOS的驅(qū)動(dòng)嗎?

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417zhouge
LV.9
2
2015-08-12 23:25
三極管加速開通,1K慢慢關(guān)斷,頻率應(yīng)該不高吧,P管?
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2015-08-13 13:59

單片機(jī)輸出的電壓有可能低于MOS的VTH.(如3.3V供電的單片機(jī)),所以需要采用三極管增加驅(qū)動(dòng)能力。至于連用兩個(gè)是為了轉(zhuǎn)換電平。另外1K的電阻是否過大,主要是看您系統(tǒng)中對(duì)開關(guān)時(shí)間的要求,1K的電阻MOS開關(guān)速度會(huì)比較慢,只適合做低頻開關(guān),如果是高頻開關(guān)損耗過大。

供參考。謝謝

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tabing_dt
LV.10
4
2016-04-17 18:56
MOS管前面加三極管應(yīng)該是因?yàn)閱纹瑱C(jī)IO口電平不足于驅(qū)動(dòng)MOS管的原因,可以選一個(gè)開啟電壓較低適合要求的MOS管。
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gxg1122
LV.10
5
2016-05-09 17:36
@semipower_X1
單片機(jī)輸出的電壓有可能低于MOS的VTH.(如3.3V供電的單片機(jī)),所以需要采用三極管增加驅(qū)動(dòng)能力。至于連用兩個(gè)是為了轉(zhuǎn)換電平。另外1K的電阻是否過大,主要是看您系統(tǒng)中對(duì)開關(guān)時(shí)間的要求,1K的電阻MOS開關(guān)速度會(huì)比較慢,只適合做低頻開關(guān),如果是高頻開關(guān)損耗過大。供參考。謝謝
兩級(jí)驅(qū)動(dòng)一方面是轉(zhuǎn)換電平,另一方面是增大驅(qū)動(dòng)電流。
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2016-05-10 21:47
可能是為了加快MOS觀光段的速度,或者提高導(dǎo)通電壓。
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飛翔2004
LV.10
7
2016-05-12 15:42
R97一般用10k吧,用兩個(gè)三極管來驅(qū)動(dòng)有可能是電平轉(zhuǎn)換。
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@飛翔2004
R97一般用10k吧,用兩個(gè)三極管來驅(qū)動(dòng)有可能是電平轉(zhuǎn)換。
剛才我也仔細(xì)看來一下,兩個(gè)三極管上面的供的電都不一樣,5V的12V的兩路。
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tmpeger
LV.10
9
2016-06-02 14:58
@ycdy09@163.com
可能是為了加快MOS觀光段的速度,或者提高導(dǎo)通電壓。
電流超過內(nèi)部閾值時(shí),周期剩余階段會(huì)關(guān)斷功率MOSFET。
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tmpeger
LV.10
10
2016-06-02 14:59
@gxg1122
兩級(jí)驅(qū)動(dòng)一方面是轉(zhuǎn)換電平,另一方面是增大驅(qū)動(dòng)電流。
在功率MOS導(dǎo)通后,前沿消隱電路會(huì)將限流比較器抑制
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2016-06-02 21:28
@417zhouge
三極管加速開通,1K慢慢關(guān)斷,頻率應(yīng)該不高吧,P管?
R97的1K是起上拉作用,跟頻率沒關(guān)系。圖中的mos管感覺是N管。
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2016-06-02 21:34
@tmpeger
在功率MOS導(dǎo)通后,前沿消隱電路會(huì)將限流比較器抑制

前端加NPN管應(yīng)該是為了解決mos管開啟電壓過高,輸入電壓不足于驅(qū)動(dòng)MOS管的問題。

加兩極NPN管可能是為了電平轉(zhuǎn)換。

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